CTIMES - 諾發系統

諾發系統宣布開發conformal film deposition技術 (2010.10.19)
諾發系統近日宣佈，已經開發conformal film deposition（CFD）技術，可在高寬比4:1的結構上有100%的階梯覆蓋能力。這項創新的CFD技術可以提供32奈米以下在前段製程的需求，例如gate liners、spacers、shallow trench 隔絕的高介電金屬閘極（HKMG）liners和用在雙曝光技術的spacers

諾發發表新一代電漿化學氣相沉積製程 (2010.05.05)
諾發系統日前宣佈，已在VECTOR PECVD平台上開發出，具有晶圓對晶圓間膜厚變異小於2埃的精密抗反射層薄膜（ARL）。這種新製程採用VECTOR特有的多重平台序列式沉積工藝技術架構（MSSP），以達成沉積的ARL薄膜具有格外均勻的薄膜厚度，折射率（n）和消光係數（K）

諾發系統宣告售出第1000台化學氣相沉積系統 (2010.02.28)
諾發系統日前宣佈，已賣出第1000台化學氣相沉積系統給新加坡GLOBALFOUNDRIES Fab 7， GLOBALFOUNDRIES為半導體製造技術之供應者，近期並與Chartered Semiconductor Manufacturing進行整合，Fab 7亦會將12吋VECTOR Express應用於65奈米及更先進技術的大量生產

諾發系統啟用新型超紫外線熱力學製程系統 (2010.02.03)
諾發系統（Novellus）於日前宣布，已導入超紫外線熱力學製程系統 SOLA xT，將其應用在先進的45奈米以下的邏輯元件生產，其利用超紫外線的照射來改善前一道製程鍍上的薄膜特性，這一新系統可監控紫外線強度及提供客製化的波長光線組合，因此可將系統延用到多世代

諾發SPEED MAX系統擴展應用到32奈米技術 (2009.10.22)
諾發系統宣布開發出一種製造工藝來延伸公司的SPEED MAX系統在隔離淺溝槽（STI）充填沉積應用到32奈米技術節點。這種新工藝技術利用SPEED MAX高密度電漿化學氣相沉積（HDP-CVD）的平台發揮動態配置控制(DPC)的功能效果

諾發32奈米介電質技術可解決RC遲滯問題 (2009.04.02)
為了使積體電路元件的性能跟上摩斯定律（Moore’s Law），積體電路設計人員在驅策技術節點縮小化時必需減緩RC遲滯效應。為達到元件縮小所帶來的應有的積效進而增加45奈米以下導線間的空間縮小所帶來的挑戰

諾發系統贏得台積電最佳產品獎 (2006.01.13)
半導體業先進製程生產技術導廠商諾發系統公司，13日宣佈台積電（TSMC）以2005年最佳產品獎，認可諾發SABRE NExT銅電化學沉積系統的優異效能。台積電營運組織副總羅唯仁博士表示：「SABRE NExT的領先技術及其低作業成本與高生產力，是讓我們300mm晶圓產量躍昇的重要關鍵因素之一

諾發系統發表次90奈米電介質紫外線熱處理系統 (2006.01.05)
半導體沉積、表面處理和化學機械平整化製程廠商諾發系統(Novellus Systems)，針對介電薄膜沉積後製程，推出獨立式紫外線熱處理(UVTP)系統。SOLA針對300mm晶圓量產而設計，可解決下一代消費性電子產品要求的新材料與製造技術需求

諾發系統推出次90奈米電介質紫外線熱處理系統 (2005.12.08)
半導體業界先進沉積、表面處理和化學機械平整化製程之生産力及技術領先廠商諾發公司(Novellus Systems)，今日針對先進介電薄膜沉積後製程，推出業界首台獨立式紫外線熱處理(UVTP)系統

科林、諾發、應材紛裁員 (2002.01.21)
多家國際半導體設備大廠在台灣的亞太分公司，最近都傳出裁員消息，科林研發（LAM Research）及諾發系統（Novellus）上週都有小幅度的裁員，但科林解釋離職員工數相當有限，是例行性的減少不適任員工

三大IC設備廠不參加SEMICON Taiwan (2001.09.11)
半導體界年度盛事國際半導體設備材料展(SEMICON Taiwan)將展開。全球前三大IC測試設備大廠安捷倫(Agilent)、愛德萬測試(Advantest)、及晶圓製造設備大廠諾發系統(Novellus)，已確定不參加9月17日起舉辦的第六屆SEMICON Taiwan，另闢洽公地點