諾發系統日前宣佈，已在VECTOR PECVD平台上開發出，具有晶圓對晶圓間膜厚變異小於2埃的精密抗反射層薄膜（ARL）。這種新製程採用VECTOR特有的多重平台序列式沉積工藝技術架構（MSSP），以達成沉積的ARL薄膜具有格外均勻的薄膜厚度，折射率（n）和消光係數（K）。這種新的薄膜具有的特性已超越了次32奈米微顯影的要求。

成功控制關鍵尺寸（CD）的變化量是對32及次32奈米微顯影不可或缺的一環。2009年國際半導體技術藍圖（ITRS）中建議總關鍵尺寸（CD）的變異量應控制在小於1nm，以確保超高性能電路的功能性。如高端相位偏移遮蔽複合光學近端校正的先進的微顯影CD控制設備，已成為極其昂貴的投資，以便達到32奈米元件製造的嚴格CD控制需求。

另外，有一個有效且較不昂貴被稱為”劑量補償”的技術，被應用來控制微顯影技術的變異量，晶圓上特定區域的照射劑量被軟體運算所補償調整，為了確保適當的劑量補償，這個技術成功的關鍵在於需要在每一片晶圓上應用可精密控制膜厚及光學特性的抗反射層薄膜。

諾發在VECTOR機台上開發出的ARL製程技術，提供了這些需要使用光譜吸收劑量補償控制策略的晶圓間有著更一致的效果。新的製程技術，還連結了VECTOR機台本身角度精準度小於0.3毫米，以確保預期的薄膜性質符合32奈米光刻技術的需求。

諾發系統電漿化學氣相沉積業務部門的高級副總裁Kevin Jennings表示，在VECTOR平台上所開發出新一代精密的ARL薄膜，具有超均勻的厚度分佈及光學特性，這都是在先進晶圓製程上對CD的控制所不可缺少的要求。當雙重和三重層電漿化學氣相沉積的ARL薄膜作為反射控制，VECTOR的獨特製程控制將有效藉由反饋和前饋來提供CD控制解決方案。