帳號:
密碼:
CTIMES / 動態隨機存取記憶體
科技
典故
研究網路工程的團隊 - IETF

IETF是Internet Engineering Task Force (國際網路工程研究團隊)是一個開放性的國際組織,其作用在於匯集網路設計師、網路操作員、網路廠商,以及研究人員共同研發改進網路的工程架構與建立起一個平穩的網路環境。
集邦科技:DRAM價格上揚趨勢將維持至農曆年前 (2006.01.04)
根據DRAM報價網站集邦科技(DRAMeXchange)表示,在耶誕節和新年假期間, DRAM現貨市場交易逐漸趨緩。大多數的買賣雙方對價格的走勢保持觀望的態度,等待年後更明確的價格走勢
DRAM跌價 美光獲利縮水 (2005.12.23)
全美第一大電腦記憶晶片廠商美光公布本會計年度第一季財報,獲利因電腦記憶晶片跌價而縮水六成,但該公司依舊對前景懷抱信心。 美光該季獲利6260萬美元,每股盈餘為9美分,低於分析師預期,也比去年同期減少六成
DRAM現貨價上漲 合約價維持跌勢 (2005.12.21)
雖然DRAM現貨價在近一週內出現反彈,但是十二月下旬合約價卻未因此而止跌。由於OEM電腦大廠的採購補貨動作多於十二月上旬告一段落,在需求量明顯較上旬冷清情況下
iSuppli:明年DRAM市場將出現負成長 (2005.12.16)
儘管市場分析師看壞明年DRAM市場,但實際上今年第四季價格大跌,部份DRAM廠獲利大幅縮減,對明年的擴產動作已轉為謹慎保守,所以明年全球DRAM市場景氣是好是壞,台灣業者的動作將是重要關鍵
下半年DRAM產量充裕 影響市場行情 (2005.12.14)
根據統計,今年11月份全球DRAM總產出量,已經正式突破7億顆256Mb約當顆粒大關,約來到7億400萬顆,若分析11月各地區的產出量成長情況,此次主要成長動力來自於日本爾必達(Elpida),產能月成長率約達14%,其它地區則有1~3%不等的成長幅度
爾必達12吋新廠啟用 目標全球前三大DRAM廠 (2005.12.02)
日本DRAM大廠爾必達(Elpida)宣布,位於日本廣島的十二吋廠E300新建生產線正式落成啟用,除了明年第一季月產能可達5萬4000片外,十二吋廠也將全線導入90奈米製程量產512Mb DDR2及遊戲機用XDR記憶體等高階產品
DRAM廠第四季毛利率將下滑至10~15% (2005.11.24)
第四季以來,國內DRAM廠看好年底歐美傳統旺季需求,認為主流產品256Mb DDR現貨價可望維持在2.5美元,不過十月份主機板廠或筆記型電腦(NB)廠出貨雖再創新高,但DRAM卻由十月初的2.6美元,一路跌至的2.1美元
市場競爭加劇 各廠商提升NAND Flash產能 (2005.11.22)
記憶晶片產業的競爭加劇在即,東芝和三星皆傳出調整記憶晶片生產線的消息。日經產業新聞報導指出,東芝試圖使該公司NAND晶片的讀寫速度於明年提高一倍,用以增強東芝與龍頭廠商三星電子競爭的實力,而三星電子同日對外宣布,擬斥資6370億韓元(約合新台幣208億元)擴張包括NAND在內的記憶晶片產能
茂德第二座十二吋晶圓廠落成啟用 (2005.11.20)
茂德科技於中部科學工業園區舉行第二座十二吋晶圓廠──晶圓三廠落成啟用典禮,宣示茂德正式跨越90奈米製程量產世代。茂德董事長曁總經理陳民良表示,全新啟用的十二吋晶圓三廠為台灣第一家有能力以90奈米製程技術量產的十二吋DRAM晶圓廠,其產能規模於2006年第三季時,將達每月三萬片,推升茂德2006年的位元成長率達80%
十二吋晶圓廠群聚中科 (2005.11.14)
茂德近日將為台中科學園區的十二吋DRAM晶圓廠舉行落成啟用典禮,這是中科第一座量產的十二吋廠。另一家投產DRAM的華邦十二吋廠,也將於2006年第一季進行量產。此外,茂德還計畫2006年下半年動土興建第四座十二吋廠,力晶亦計畫至中科后里基地申請十二吋建廠用地,台中科學園區已然成為十二吋DRAM晶圓廠群聚之處
512Mb DDR2總產量超越256Mb DDR (2005.10.13)
根據集邦科技全球DRAM產出統計,九月份512Mb DDR2佔全球DRAM總產出量比重已達35%,首度超越256Mb DDR的34%比重,所以若說DDR2已成為DRAM廠出貨主流產品其實並不為過。如今國內DRAM廠看第四季景氣還是樂觀,但來自韓國、日本、台灣三地的十二吋DRAM廠產能仍全速開出,第四季不論是DDR或DDR2,供給過剩的壓力將較第三季更大
TSIA:DRAM製程獎勵應維持0.18微米 (2005.10.03)
經濟部日前正進行兩年一次「新興重要策略性產業屬於製造業及技術服務業部分獎勵辦法」之檢討,其中DRAM部份,擬將獎勵範圍修訂為「DRAM(設計以製程0.13微米以下技術)」
工研院研究DRAM材料獲重大突破 (2005.09.21)
工研院電子所繼日前與國內DRAM大廠力晶、茂德、華邦與南亞等共組「新世代相變化記憶體」技術研發聯盟後,近日則再宣佈DRAM技術獲得關鍵性突破。工研院電子所成功研發出以高介電係數(high-k)材料為主的金屬-絕緣層-金屬(Metal-Insulator-Metal;MIM)電容結構
期許台灣四大DRAM場共同落實研發PCM (2005.07.13)
台灣四大DRAM廠12日在工研院力邀下,簽署一份未來三年內為次世代記憶體技術共同出資新台幣1.2億元的合約,不過歷來所有DRAM大廠每年研發費用動輒數10億元,這樣的資金對於台灣DRAM而言,有如九牛一毛,更何況各家DRAM廠均有其各自的合作夥伴,要達成共同研發次世代記憶體技術的機率,可說是微乎其微
英飛凌將提供業界DDR3裝置及模組 (2005.06.16)
記憶體產品領導廠商英飛凌宣佈將為PC產業之發展廠商提供業界首次採用的DDR3裝置以及模組,與現今市場上最快速的記憶體產品相比較,速度要快上一倍。第一批採用DDR3記憶體技術的系統預計將在2006年的後期推出
12吋廠大幅擴產 DRAM跌價壓力重 (2005.05.25)
根據工商時報報導,DRAM主流規格由256Mb DDR轉換至512Mb DDR2,八吋廠的生產成本優勢已失,十二吋廠成為各家DRAM廠卡位市佔率的重要籌碼,因此雖然今年DRAM價位不佳,但各家業者仍積極擴建十二吋廠生產線
茂德與Hynix合作開發奈米級DRAM製程 (2005.05.24)
根據工商時報消息,儘管茂德90奈米製程仍是向韓國DRAM大廠Hynix以技轉方式取得,但茂德仍希望能開發出自有技術,所以茂德已向竹科管理局提出申請,將在篤行園區內建立茂德的研發設計中心,與Hynix共同開發次世代堆疊式DRAM製程技術
勁永國際將在Computex展舉辦新產品發表會 (2005.05.12)
勁永國際自結94年4月份營業收入為新台幣11.32億元,相較93年同期之新台幣9.07億元,成長24.8%。勁永國際兩大主力產品為DRAM和FLASH,其中FLASH產品佔銷售比例為51%,DRAM產品佔銷售比例為49%
PQI研發記憶體模組產品已有重大突破 (2005.05.11)
PQI勁永國際繼四月初發表PQI TurboMemory DDR2-900桌上型電腦專用高效能記憶體模組之後,10日再度推出PQI TurboMemory DDR2-1000桌上型電腦專用高效能記憶體模組。PQI TurboMemory DDR2-1000桌上型電腦專用高效能記憶體模組採用的是DDR2-667原廠顆粒
業者預估第二季DRAM市場價格走軟 (2005.04.29)
據外電消息,DRAM大廠Hynix預測DRAM第二季現貨價會比第一季下跌逾10%,但透過削減成本應仍能讓Hynix維持獲利。另一家DRAM業者星電子亦曾於稍早前做出DRAM價格走軟的預期 Hynix亦表示,該公司降低生產成本的速度比DRAM平均價格的下跌快得多,應能讓Hynix在市場淡季中保持獲利;該公司目前為全球第二大DRAM供應商,銷售排名僅次於三星

  十大熱門新聞
1 宜鼎全面擴充邊緣AI智慧應用與智慧儲存

AD

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29號11樓 / 電話 (02)2585-5526 / E-Mail: [email protected]