工研院電子所繼日前與國內DRAM大廠力晶、茂德、華邦與南亞等共組「新世代相變化記憶體」技術研發聯盟後，近日則再宣佈DRAM技術獲得關鍵性突破。工研院電子所成功研發出以高介電係數（high-k）材料為主的金屬－絕緣層－金屬（Metal-Insulator-Metal；MIM）電容結構，可讓製程技術延伸至70奈米世代，有助於國內DRAM廠跨入奈米世代時，得以保有技術上的競爭力。