根據統計，今年11月份全球DRAM總產出量，已經正式突破7億顆256Mb約當顆粒大關，約來到7億400萬顆，若分析11月各地區的產出量成長情況，此次主要成長動力來自於日本爾必達（Elpida），產能月成長率約達14％，其它地區則有1～3％不等的成長幅度。整體來看，全球DRAM月產出量仍呈現逐月成長趨勢，DRAM及NAND快閃記憶體間的產能排擠效應看來並不明顯。

雖然今年以來NAND快閃記憶體需求暢旺，讓三星、Hynix、美光、英飛凌等一線大廠，持續調撥DRAM產能生產NAND晶片，但實際上這個產能排擠效應，一直沒有明顯的壓抑住全球DRAM產出量的成長，反而是下半年隨著力晶、華亞科、中芯、Hynix等新十二吋廠產能陸續開出，全球DRAM產出量還在9月、10月出現一成左右的高月成長率。

根據統計，今年一月份全球DRAM總產出量，還不到4億5000萬顆水準，但至11月份，全球總產出量已正式突破7億顆關卡，來到7萬顆規模，光是以今年1～11月份的產出量來比較，DRAM月產能已成長了近六成幅度，也難怪今年下半年DRAM行情一直不佳，因為DRAM供給量十分充足。

由11月份各地區的DRAM產出量來分析，日本爾必達的月出貨量逼近6000萬顆，較前一個月成長14％幅度，與美國、歐洲、韓國、台灣等四地約1～3％的月成長率相較，有了很大的對比。而爾必達產出量大躍進，除了代工夥伴力晶、中芯的十二吋廠產能持續增加外，自建的十二吋廠E300新生產線於十月份正式投產，亦是重要因素之一。

除了日本之外，其它地區的DRAM廠現在沒有太積極的擴產動作，產出量的成長只能依賴製程技術微縮及良率提升，不過因為部份DRAM廠明年新廠即將量產，包括華邦、茂德等中科十二吋廠將於明年量產，英飛凌位於美國Richmond的十二吋廠明年亦將擴大投片量，Hynix在大陸的八吋廠及十二吋廠亦將於明年底開出新產能，所以市場認為明年DRAM市場供給量的成長幅度仍將驚人，最快明年底全球月產出量就會突破十億顆大關。