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意法半導體高功率電子式保險絲 提供整合型保護功能 (2018.07.20)
意法半導體（STMicroelectronics）STEF01可程式設計電子式保險絲，整合低導通電阻RDS(ON)的VIPower MOSFET功率管，在8V到48V的寬輸入電壓範圍內，能夠維持高達4A的連續電流，不僅損耗低，還能將動作快速超載保護之優勢延續到額定功率更高的應用產品 |
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Diodes Incorporated離線式變壓器專用小型同步整流MOSFET驅動器 (2018.07.18)
Diodes Incorporated推出 APR346 二次側同步整流 MOSFET 驅動器，可將 AC 電源轉成 DC 電源，提供 5V 至 20V 的電壓，提升離線式變壓器的效率。
APR346 可運作於連續導通模式 (CCM)、不連續導通模式 (DCM) 與準共振模式 (QR)，旨在驅動外部 MOSFET，充分發揮同步整流 (SR) 效益 |
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宜特跨攻MOSFET晶圓後段製程整合服務 (2018.06.30)
隨著電子產品功能愈來愈多元，對於低功耗的要求也愈來愈高， MOSFET成為車用電子、電動車勢不可擋的必備功率元件，而在目前市面上產能不足，客戶龐大需求下，宜特科技宣布正式跨入「MOSFET晶圓後段製程整合服務」 |
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安森美推出新多晶片模組PWM降壓穩壓器系列 (2018.06.27)
安森美半導體（ON Semiconductor）推出3款新的高能效中壓脈寬調變（PWM）降壓轉換器。
安森美半導體新的FAN6500X 降壓轉換器系列支援4.5 V至65 V的寬輸入電壓範圍，輸出電流高達10 A，輸出功率為100 W，結合經歷時間測試的固定頻率控制方法與靈活的Type III補償和穩健的故障保護 |
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Wolfspeed最新1200V SiC MOSFET 促進電動車市場發展 (2018.06.26)
科銳旗下Wolfspeed於近日宣佈推出最新第三代1200V碳化矽SiC MOSFET系列，為電動汽車動力傳動系統帶來性能突破。
這一開關元件能夠實現高電壓功率轉換，進一步鞏固Wolfspeed在電動汽車生態系統解決方案領域的領先地位 |
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美高森美推出專門用於SiC MOSFET的極低電感SP6LI封裝 (2018.05.30)
美高森美公司(Microsemi Corporation) 發佈專門用於高電流、低導通阻抗(RDSon) 碳化矽 (SiC) MOSFET功率模組的極低電感封裝。
這款全新封裝專為用於其SP6LI 產品系列而開發，提供適用於SiC MOSFET技術的2.9 nH雜散電感，同時實現高電流、高開關頻率以及高效率 |
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美高森美下一代1200 V SiC MOSFET樣品和700 V SBD (2018.05.29)
美高森美公司 (Microsemi Corporation) 宣佈在下季初擴大其碳化矽(SiC) MOSFET和SiC二極體產品組合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的樣品，及下一代700 V、50 A 蕭特基勢壘二極體(SBD)和相應的裸晶片 |
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英飛凌CIPOS Mini IPM提高低功率馬達效率 (2018.05.25)
全球能源效率標準通常禁止製造商進口或銷售未符合標準的產品，為了滿足特定的基本要求，必須透過使用最新技術減少能源損耗，英飛凌科技股份有限公司CIPOS Mini系列新增IM512及IM513產品 |
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東芝推出2款車用新封裝40V N-channel溝槽功率MOSFET IC (2018.04.18)
東芝電子元件及儲存裝置株式會推出2新款小型低電阻SOP Advance (WF)封裝的MOSFET產品。新IC- TPHR7904 & TPH1R104PB皆是車用40V N-channel溝槽功率MOSFET的最新Lineup。
此2款MOSFET IC採用最新第九代U-MOS IX-H溝槽製程及小型低電阻封裝，具備低導通電阻有助於降低導通損耗，與東芝上一代產品(U-MOS IV)相比，此ICs設計實現了更低的開關雜訊，幫助降低EMI |
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大聯大品佳集團推出英飛凌1200 V碳化矽MOSFET技術 (2018.04.17)
致力於亞太區市場的領先零組件通路商大聯大控股今日宣佈，旗下品佳集團將推出英飛凌（Infineon）1200 V碳化矽MOSFET技術。
此次推出的新技術可提升產品設計的功率密度和效能表現，並有助電源轉換方案的開發人員節省空間、減輕重量、降低散熱需求，進一步提升可靠性和降低系統成本 |
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東芝針對輸出型光耦合器推出新封裝選項SO6L(LF4) (2018.04.03)
東芝電子元件及儲存裝置株式會社宣布為擴大原輸出型光耦合器陣容，即日起為SO6L系列推出全新封裝類型；新封裝SO6L(LF4)為寬引腳間距封裝，SO6L(LF4)封裝爬電距離為8mm，其符合產業規格標準 |
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東芝推出搭載高效率、靜電放電保護、小型封裝MOSFET IC (2018.04.03)
東芝電子元件及儲存裝置株式會社宣布推出搭載高效率靜電放電保護的雙MOSFET IC – SSM6N813R，此新產品適用於需耐高壓及小尺寸的車用產品或裝置，包括LED頭燈驅動IC，並於4月開始量產出貨 |
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APEC 2018—Littelfuse推出超低導通電阻1200V碳化矽MOSFET (2018.03.16)
Littelfuse公司與從事碳化矽技術開發的美商Monolith Semiconductor推出兩款1200V碳化矽(SiC) n通道增強型MOSFET，進而擴展第一代電源半導體元件組合。Littelfuse與Monolith在2015年結成戰略合作關係，旨在為工業和汽車市場開發電源半導體 |
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美高森美瞄準工業和汽車市場推出新型SiC MOSFET和SiC SBD (2018.03.01)
美高森美公司(Microsemi Corporation)宣佈提供下一代1200V 碳化矽(SiC) MOSFET系列的首款產品 40 mOhm MSC040SMA120B器件，以及與之配合的1200 V SiC蕭特基阻障二極體(SBD)，進一步擴大旗下日益增長的 SiC 離散器件和模組產品組合 |
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東芝針對繼電器驅動器推出新款小型雙通道MOSFET IC (2018.02.08)
東芝電子元件及儲存裝置株式會社推出小型雙通道MOSFET SSM6N357R，此款新產品在漏極(Drain)和閘極端子(Gate terminals)之間有內建二極體(Diode)。此IC適用於驅動機械繼電器(Mechanical relays)等電感負載 |
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貿澤電子供應ON Semi FDMF8811 110V橋式功率級模組 (2018.02.05)
貿澤電子開始供應ON Semiconductor的FDMF8811橋式功率級模組。FDMF8811模組適用於半橋和全橋DC-DC轉換器的100 V橋式功率級模組，其採用高效能的PowerTrench MOSFET技術，可減少轉換器應用的開關振鈴 |
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東芝新一代600V平面MOSFET系列 結合高效率及低雜訊 (2018.01.22)
東芝電子元件及儲存裝置株式會社推出「第九代π-MOS」，全新600V平面式MOSFET系列，量產出貨於即日起啟動。
第九代π-MOS系列採用最佳化的晶片設計，與現有的第七代系列相比，其EMI雜訊峰值低5dB[1]，但同時又保持了相同水準效率 |
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英飛凌推出600 V CoolMOS CFD7 SJ MOSFET (2017.11.24)
英飛凌科技發表新款高電壓超接面(SJ) MOSFET 技術產品 600 V CoolMOS CFD7，讓CoolMOS 7 系列更為完備。
新款 MOSFET 產品滿足高功率 SMPS 市場的諧振拓樸需求，為 LLC 和 ZVS PSFB 等軟切換拓撲提供領先業界的效率與可靠度，最適合像是伺服器、電信設備電源和電動車充電站等高功率 SMPS 應用 |
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TDSC推出中壓、高容量、小型封裝的光繼電器 (2017.11.16)
[東京訊](BUSINESS WIRE)東芝電子元件及儲存裝置株式會社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, TDSC)推出一款採用小型2.54SOP4封裝的新型光繼電器TLP3145，該光繼電器關閉狀態輸出端電壓達200V，導通電流為0.4A |
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東芝推出小型封裝N-channel MOSFET驅動IC (2017.10.27)
東芝電子元件及儲存裝置株式會社推出兩款TCK401G（高電位作動）和TCK402G（低電位作動）N-channel MOSFET驅動IC，該產品支援最高可達28V的輸入電壓，適合快速充電和需要大電流電源的其他應用 |
