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ST擴大第六代功率MOSFET産品系列 (2011.06.26)
意法半導體（ST）於日前宣佈，擴大採用第六代STripFET技術的高效功率電晶體産品系列，爲設計人員在提高各種應用的節能省電性能帶來更多選擇。
ST表示，最新的STripFET VI DeepGATE 功率MOSFET，可承受高達80V的電壓，可用於太陽能發電應用（如微型逆變器）、電信設備、網路設備以及伺服器電源 |
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ST全新功率MOSFET提升汽車電氣系統能效 (2011.06.13)
意法半導體（ST）於日前推出9款全新汽車級功率MOSFET，進一步擴大STripFET VI DeepGATE功率MOSFET産品組合，為新一代汽車實現能效、尺寸及成本優勢。
高能效電氣系統對於汽車製造商日益重要 |
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CISSOID新款N型MOSFET高溫可達225°C (2011.04.22)
高溫半導體方案供應商CISSOID日前宣佈，推出新款雙通道高溫40V N型金氧半場效電晶體（N-channel MOSFET）CHT-MOON。
CISSOID表示，該款採表貼、小型、密封式陶瓷SOIC16封裝。此新元件可幫助設計者達到最高的系統密度，它可開關高達2安培電流及提供與其他CHT產品一樣，是一個可於-55°C至+225°C連續操作的解決方案 |
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士蘭微電子推出新一代高壓MOSFET F-Cell系列 (2011.04.07)
士蘭微電子近日宣佈，推出新一代高壓MOSFET產品——F-Cell系列高壓MOSFET。這是士蘭微電子自主研發所推出的第四代平面結構高壓MOSFET產品，工作電壓可以覆蓋400V—900V區間 |
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瑞薩電子推出小型封裝之高性能車用功率MOSFET (2011.03.08)
瑞薩電子近日宣佈，推出32款容許電壓為40及55伏特（V）之新型N通道功率MOSFET（金屬氧化物半導體場效電晶體）。新款功率MOSFET包括採用小型HSON封裝的NP75N04YUK產品，安裝面積為現有TO-252封裝的一半，可處理75安培（A）的電流 |
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Linear推出高速、高輸入同步MOSFET閘極驅動器 (2011.02.28)
凌力爾特（Linear）於日前宣佈，推出新款H 等級版本的LTC4444/-5，其為高速、高輸入供應電壓 (100V) 同步 MOSFET閘極驅動器，專為在同步整流之轉換器架構中，驅動較高和較低側N 通道MOSFET 而設計 |
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瑞薩電子新高壓電源MOSFET 可減少52%導通損失 (2011.02.01)
瑞薩電子近日宣佈，推出能為電源供應器提供超高效率的高壓N-channel電源金屬氧化半導體場效電晶體（MOSFET）產品--RJK60S5DPK。新的電源MOSFET能減少PC伺服器、通訊基地台以及太陽能發電系統的耗電量 |
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瑞薩公佈新策略 預計達成兩位數平均年成長率 (2010.10.28)
瑞薩電子近日發表其強化功率半導體事業之新策略。瑞薩電子功率半導體事業規模約佔該公司三大核心事業群中類比及功率半導體（A&P）事業部門的四分之一。
瑞薩電子計畫採取以下策略：
(1)強化從低電壓至高電壓功率半導體之產品內容
瑞薩電子將進一步強化2010年4月NEC電子與瑞薩科技合併所實現的廣大產品內容 |
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下一代低VCEsat雙極電晶體 (2010.10.12)
近年來，中功率雙極電晶體在飽和電阻及功率選擇範圍上的重大改進，大幅擴展此類元件的應用領域。恩智浦最新推出的SMD封裝型中功率電晶體BISS 4充分凸顯雙極電晶體的技術優勢，為開關應用提供更高的功率與更低損耗，並開創新的應用領域 |
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瑞薩電子新款功率半導體 可使安裝面積減半 (2010.10.06)
瑞薩電子近日發表RJK0222DNS及RJK0223DNS之開發作業，這兩款功率半導體採用超小型封裝，可使用於DC/DC轉換器，供電給伺服器及筆記型電腦等產品之CPU、記憶體及其他電路區塊 |
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瑞薩全新功率MOSFET因應電流量新需求 (2010.09.16)
瑞薩電子近日宣佈，推出最新第12代功率MOSFET產品RJK0210DPA、RJK0211DPA及RJK0212DPA，為適用於一般負載點（POL）、基地台、電腦伺服器及筆電DC/DC轉換器中之功率半導體裝置。
上述新產品用以控制CPU及記憶體中的電壓轉換電路 |
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英飛凌推出ThinPAK 8x8無鉛SMD封裝的高壓MOSFET (2010.05.07)
飛凌日前宣佈推出新型 ThinPAK 8x8 無鉛 SMD 封裝的高壓 MOSFET。新型封裝面積僅有 64mm² （小於 D2PAK 的 150mm²），且高度僅 1mm（低於 D2PAK 的 4.4mm），不但尺寸極小，又具備標準的低寄生電感，為設計人員提供一個全新且有效縮小系統方案尺寸的功率密度設計 |
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提升汽車應用 NXP採用LFPAK封裝MOSFET系列 (2010.04.29)
恩智浦半導體（NXP）近日成為第一家採用LFPAK封裝（一種小型熱增強的無損耗封裝）的全系列汽車功率MOSFET供應商。結合恩智浦在封裝技術及TrenchMOS技術方面的優勢和經驗，新型符合Q101標準的LFPAK封裝MOSFET被認為是功率SO-8封裝 |
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ROHM針對電池驅動行動裝置 新增0.9V驅動陣容 (2010.03.22)
ROHM近日宣佈，針對行動音響、錄音筆、電子辭典、隨身收音機、電子玩具等，行動裝置電源電路用MOSFET“ECOMOS”系列擴增其產品陣容，新增首創0.9Ｖ驅動產品。
此新產品已經開始樣品出貨（樣品價格10日圓／個），預定自2010年2月下旬開始量產 |
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快捷推出高效率、節省空間的N溝道MOSFET器件 (2010.03.16)
因應手機、可攜式醫療設備和媒體播放機等可攜式應用設備的設計和元件工程師對在其設計中加入高效、節省空間的器件的需求，快捷半導體（Fairchild）推出N溝道MOSFET器件FDZ192NZ和FDZ372NZ，這兩款器件使用先進的PowerTrench製程技術，具有更低的RDS（ON），更高的效率，並可延長電池壽命 |
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英飛凌推出OptiMOS穩壓MOSFET及DrMOS系列產品 (2010.03.08)
英飛凌科技近日於美國加州舉辦的「2010 應用電力電子研討會暨展覽會」上，宣佈推出新款OptiMOS功率MOSFET系列產品。英飛凌所推出的OptiMOS 25V系列裝置經過最佳化，適合應用於電腦伺服器電源之穩壓及電信/數據通訊之開關 |
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CISSOID引入新系列P通道高溫功率MOSFET晶體管 (2010.03.01)
高溫半導體解決方案的CISSOID，引進VENUS的新系列高溫30V的P通道功率MOSFET晶體管，其保證操作在攝氐負55度到225度之間。P通道功率MOSFETs的VENUS系列命名為CHT-PMOS3002，CHT-PMOS3004及CHT-PMOS3008，其最大漏電流額定分別為2A、4A及8A |
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TI推全整合型Fusion Digital Power雙路功率驅動器 (2010.02.25)
德州儀器（TI）宣佈推出一款具備整合型功率MOSFET、保護區塊以及監控功能的數位雙路同步降壓功率驅動器，相較於業界標準的驅動器，此新產品可節省80%的電路板空間與元件使用量 |
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ON擴充功率開關產品陣容推出高壓MOSFET系列 (2010.02.23)
安森美半導體（ON）於昨日（2/22）宣佈，推出包括500 V和600 V元件的高壓功率金屬氧化物半導體場效應電晶體系列。這些新方案的設計適合功率因數校正和脈衝寬調變段等高壓、節能應用的強固要求，在這些應用中，加快導通時間及降低動態功率損耗至關重要 |
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TI推出新款可降低頂部熱阻的功率MOSFET (2010.01.14)
德州儀器 (TI) 於昨日（1/13）宣佈，針對高電流DC/DC應用推出首款透過封裝頂部散熱的標準尺寸功率MOSFET產品系列。DualCool NexFET功率 MOSFET有助於縮小終端設備的尺寸，同時還可將通過MOSFET的電流提高50%，並且提供了更好的散熱管理 |
