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三星14nm制程技术 Tape Out完成 (2012.12.23)
即使三星电子最近被采用Exynos系列处理器之行动装置产品疑似存在着安全漏洞问题搞的乌烟瘴气，但在迈向14奈米制程技术之路一样没有任何懈怠。继格罗方德半导体以及英特尔后，三星也向外界宣布采用14奈米制程技术之行动芯片测试成功，该行动芯片不管是针对动态功耗以及漏电率方面皆有明显改善 |
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后摩尔定律时代 (2009.09.27)
知名物理学大师费曼早在多年前就预测：「其实下面还有许多空间」，英特尔科学家摩尔也据此提出晶圆效能与密度每18个月就会扩增一倍的「摩尔定律」。虽然多年来半导体工业随着摩尔定律而蓬勃发展 |
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联电采用浸润式微影技术产出45奈米测试芯片 (2006.11.26)
联华电子（UMC）宣布成功产出位较0.25平方微米更小的45奈米SRAM芯片，该芯片采用联电独立发展的逻辑制程，在12层重要层中使用复杂的浸润式微影术，并且结合最新的尖端技术如超浅接点技术、迁移率提升技术以及超低介电值技术（k=2.5） |
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TI、MIT与DARPA合作开发奈米SRAM芯片 (2006.02.09)
德州仪器宣布，美国麻省理工学院的研究人员将在国际固态电路会议上展出利用TI先进65奈米CMOS制程生产的超低耗电256kb SRAM测试芯片。这颗SRAM芯片是专为需要高效能和低耗电的电池操作型产品所设计，不但操作电压低于业界所有其它产品，TI还考虑将它应用在SmartReflex电源管理技术以延长行动产品的电池寿命 |
