德州仪器宣布，美国麻省理工学院的研究人员将在国际固态电路会议上展出利用TI先进65奈米CMOS制程生产的超低耗电256kb SRAM测试芯片。这颗SRAM芯片是专为需要高效能和低耗电的电池操作型产品所设计，不但操作电压低于业界所有其它产品，TI还考虑将它应用在SmartReflex电源管理技术以延长行动产品的电池寿命。

相较于其它0.6V的6T组件，这颗0.4V的次临界(sub-threshold) 256kb SRAM芯片可将漏电功耗减少2.25倍。它所采用的65奈米制程还能大幅缩小电路结构，使每个位晶胞 (bitcell)只有10颗晶体管，组件也需400mV就能正常操作。

麻省理工学院表示，超低耗电操作对于新出现的各种商业和军事应用极为重要。该校研究生已在美国国防部高等研究计划署(DARPA)和TI赞助下，利用65奈米CMOS制程开发出电压低于400mV的超低电压逻辑和内存电路。这种超低电压能力不但是将运算过程耗电量减至最少的重要关键，还能用来实作超动态电压调整功能(Ultra-Dynamic Voltage Scaling，U-DVS)。超低耗电技术的目标是将电力消耗减少一个数量级，同时让系统效能所受的影响减至最少。