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ROHM针对电池驱动行动装置 新增0.9V驱动阵容 (2010.03.22)
ROHM近日宣布，针对行动音响、录音笔、电子辞典、随身收音机、电子玩具等，行动装置电源电路用MOSFET“ECOMOS”系列扩增其产品阵容，新增首创0.9Ｖ驱动产品。
此新产品已经开始样品出货（样品价格10日圆／个），预定自2010年2月下旬开始量产 |
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Avago新前端模块产品针对行动网络手机市场 (2009.05.07)
安华高科技（Avago Technologies）宣布，推出了两款整合功率放大器（PA,Power Amplifier）、双工器、带通滤波器与耦合器，可以改善效率并延长通话时间的前端模块（FEM,Front End Module）产品 |
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ROHM推出行动装置市场专用晶体管封装 (2008.11.03)
ROHM Co., Ltd.特别推出体积为全球最小的晶体管封装「VML0805」(0805(0302 inch)尺寸)，并预定自2008年11月依序开始进行适用于此一封装的通用型双载子晶体管与内建电阻型数字晶体管的样品出货(样品售价100日圆/个)，并自2009年3月起以月产1000万个的规模展开量产 |
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交换式电源供应器设计 (2004.08.04)
新一代的掌上型设备不仅体积更小、色彩更丰富，同时还能以更快的速度传送电子邮件、网页与图形。但要吸引消费者，设计者就必须要在不增加电池体积与重量情况下维持适当的电池使用寿命 |
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低压降线性稳压器系统介绍与探讨 (2004.01.05)
电压转换的方式可二分为切换式稳压器与线性稳压器。近来低压降线性稳压器的转换效率提升及低杂讯的优点，连带成为小功率降压及稳压器之主流，本文将针对压降线性稳压器作系统架构的介绍与分析，并探讨其发展之现况 |
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SiGe HBT技术发展概述 (2001.06.01)
SiGe技术经过这十几年的研究发展，已渐渐开花结果。 |
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工研院电子所积极开发IGBT先进制程技术 (2001.02.13)
为了将双载子晶体管和金氧半晶体管相结合，以得到一个有绝缘闸输入并有低导通电阻的功率组件，而促成了绝缘闸双载子晶体管(IGBT)的研究发展。国内的工研院电子所目前也正积极研究此先进制程技术，并表示最快在3月份完成IGBT的验证工作，其规格则可做到电压600伏，电流30安培 |
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高平投资胜阳光电 (2000.08.18)
继日前传出美国通讯组件大厂科胜讯(Conexant)公司有意收购全新光电公司股权外，近期全球最大异质接面双载子晶体管磊芯片(HBT)制造厂--美国的高平(Kopin)公司，也将参与胜阳光电公司投资 |
