为了将双载子晶体管和金氧半晶体管相结合，以得到一个有绝缘闸输入并有低导通电阻的功率组件，而促成了绝缘闸双载子晶体管(IGBT)的研究发展。国内的工研院电子所目前也正积极研究此先进制程技术，并表示最快在3月份完成IGBT的验证工作，其规格则可做到电压600伏，电流30安培。

IBGT一般被大量应用在工业用启动马达的交换控制，早在去年电子所即进行IGBT的研发计划，目前已经进行到验证阶段，预计3至4月份完成验证事宜。电子所也表示，在验证结束后，将与有兴趣的厂商做进一步洽谈事项，包括UPS厂商、电源供应器厂商、萧特基二极管设计商等。