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掌握高速数位讯号的创新驱动力 (2024.07.25)
随着AI加速晶片的广泛应用，PCIe介面上的加速卡设计逐渐成为推动整体产业进步的关键技术。 |
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高速数位讯号-跨域创新驱动力研讨会 (2024.07.23)
随着大数据、人工智慧，特别是生成式AI的快速发展，数据需求呈现爆炸式增长。高速数位讯号作为数据传输的重要载体，将承担起更大的责任和挑战。新兴技术例如5G到6G通讯、车联网、智能城市等，都需要高速数位讯号的支持 |
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Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极体 (2024.07.01)
威世科技（Vishay Semiconductors）推出16款新型第三代1200 V碳化??（SiC）肖特基二极体。Vishay器件采用混合PIN 肖特基（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流，有助於提升开关电源设计能效和可靠性 |
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Diodes推出碳化矽萧特基势垒二极体 提高效率和高温可靠性 (2023.02.08)
Diodes公司今日宣布推出首款碳化矽（SiC）萧特基势垒二极体（SBD）。产品组合包含DIODES DSCxxA065系列，共有十一项650V额定电压（4A、6A、8A和10A）的产品，以及DIODES DSCxx120系列，共有八款1200V额定电压（2A、5A和10A）产品 |
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EPC积极发展光达应用的车规认证积体电路 (2022.04.29)
EPC公司宣布推出 额定电压?100 V、58 mΩ 和脉冲电流为20 A 的共源双路氮化??场效应电晶体EPC2221，可用於机器人、监控系统、无人机、自动驾驶车辆和吸尘器的光达系统。
EPC2221采用低电感、低电容设计，允许快速开关 (100 MHz) 和窄脉冲宽度 (2 ns)，从而实现高解析度和高效率 |
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从原理到实例：详解SiC MOSFET如何提高电源转换效率 (2021.10.12)
本文以Cree/Wolfspeed的第三代SiC MOSFET为例，分析其效率和散热能力方面的优势，并说明如何使用此类元件进行设计。 |
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Microchip首款碳化矽MOSFET 可降低50%开关损耗 (2021.09.22)
随着对电动公共汽车和其他电气化重型运输车辆的需求增加，以满足更低的碳排放目标，基于碳化矽的电源管理解决方案正在为此类运输系统提供更高效率。为了进一步扩充其广泛的碳化矽MOSFET分离式和模组产品组合 |
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ST推出车规瞬压抑制器 提供CAN/ CAN-FD小型化高性能保护 (2021.05.31)
意法半导体（ST）宣布推出ESDCAN03-2BM3Y车规低电容双通道瞬态电压抑制器（Transient Voltage Suppressor；TVS），为汽车CAN和CAN-FD提供高性能、小封装的电压抑制保护。
车载高密度的ECU电控单元越来越多，例如ADAS先进驾驶辅助系统、自动驾驶控制器和车用闸道器，车商对于高度小型化的高性能保护元件需求越来越高，意法半导体之封装面积1 |
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保护自动驾驶汽车（AV）控制电路 (2021.04.14)
除非车辆的电子电路具有高度的可靠性和抗电冲击能力，否则自动驾驶汽车（AV）所提供的安全性和便利性无法实现。 |
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提高电动车充电率 TI推升车用GaN FETs开关频率性能 (2021.02.23)
为了加速电动车（EV）技术导入，满足消费者对续航里程、充电时间与性价比的要求，全球汽车大厂在研发上需要更高的电池容量、更快的充电性能，同时尽可能降低或维持设计尺寸、重量或元件成本 |
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迈向1nm世代的前、中、后段制程技术进展 (2020.12.08)
为了实现1nm技术节点与延续摩尔定律，本文介绍前、中、后段制程的新兴技术与材料开发，并提供更多在未来发展上的创新可能。 |
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安森美高能效乙太网路供电方案 解决100W功率需求挑战 (2020.06.30)
网路规模的激增使得相应设备对功率的需求显着增长。乙太网路是这技术生态系统的关键一环。新的乙太网路供电(PoE)通用标准(IEEE 802.bt)提供高达90瓦的功率，安森美半导体的PoE-PD方案不仅支援新标准的功率限制 |
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TI最隹化EMI的整合式变压器技术 缩小隔离式电源至IC封装尺寸 (2020.02.13)
德州仪器（TI）近日推出了采用新专利整合式变压器技术开发的积体电路（IC）：具业界最低电磁干扰（EMI）的500-mW高效隔离式DC/DC转换器UCC12050。2.65-mm的高度能让工程师缩小解决方案的体积（与分离式解决方案相比减少80%，与电源模组相比则减少60%），效率更是同类竞品的两倍 |
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Littelfuse低电容瞬态抑制二极体阵列 保护高速差分数据线免受放电和突波事件影响 (2019.10.30)
电路保护、电源控制和传感技术制造商Littelfuse, Inc.宣布推出了低电容瞬态抑制二极体阵列（SPA二极体）。该产品经过优化设计，可用於保护高速差分数据线免受因静电放电（ESD）、电缆放电（CDE）、电气快速瞬变（EFT）和雷击感应浪涌造成的损坏，通过维护信号完整性保持网路通信的可靠性 |
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东芝推出适用於Thunderbolt 3及其他高速讯号线的低电容TVS Diode (2019.10.30)
东芝电子元件及储存装置株式会社（东芝）推出两款低电容舜态电压抑制二极体(TVS Diode)(ESD静电放电保护二极体)，两款二极体均支援Thunderbolt 3、HDMI 2.1和USB 3.1等高速通讯标准并已开始出货 |
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安森美半导体推出全新工业级和符合车规的SiC MOSFET (2019.03.19)
安森美半导体推出了两款全新碳化矽（SiC）MOSFET。工业级NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽车级NVHL080N120SC1把宽能带隙（WBG）技术的使能、广泛性能优势带到重要的高增长终端应用领域如汽车DC-DC、电动汽车车载充电机、太阳能、不断电系统（uninterruptable power supply；UPS）及伺服器电源 |
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Bourns新型TBU高速保护器系列对RS-485介面提供完整且易於使用的保护 (2018.11.29)
美商柏恩Bourns推出其新型TBU-DF和TBU-DB-Q高速保护器（HSP）装置系列。此系列半导体保护器之保护速度极快（反应时间小於1微秒）且精准提供了简单易用的资料线保护解决方案 |
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Littelfuse新推汽车用瞬态抑制二极体阵列 (2018.03.21)
Littelfuse推出了符合AEC-Q101标准的瞬态抑制二极体阵列系列，该产品经过优化设计，可用於保护汽车控制器局域网（CAN）线路免受因静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和其他过电压瞬变造成的损坏 |
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中微发布第一代电感耦合等离子体蚀刻设备 提升7和5奈米产能 (2018.03.13)
中微半导体设备有限公司在本周举办的SEMICON China期间正式发布了第一代电感耦合等离子体蚀刻设备Primo nanova，用於大批量生产储存晶片和逻辑晶片的前道工序。该设备采用了中微专利的电感耦合等离子体蚀刻技术，将为7奈米、5奈米及更先进的半导体元件蚀刻应用提更好的制程加工能力，和更低的生产成本 |
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Diodes推出提供 USB 3.1/3.2 及 Thunderbolt 3 介面保护的小型 TVS (2018.02.23)
Diodes 公司推出资料传输线瞬态电压抑制器 (TVS) DESD3V3Z1BCSF-7，此产品适用於搭载差分讯号线路、时脉 5 Ghz 以上的先进系统单晶片，可为 I/O 埠提供优异的 TVS/ESD 保护，是 USB 3.1/3.2、Thunderbolt 3、PCI Express 3.0/4.0、HDMI 2.0a 及 DisplayPort 1.4 等高速介面不可或缺的元件 |
