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意法半導體先進的STGAP3S電隔離閘極驅動器 為IGBT和SiC MOSFET提供靈活的保護功能 (2024.12.30)
服務橫跨多重電子應用領域之全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）新 STGAP3S 系列碳化矽（SiC） 和 IGBT 功率開關閘極驅動器整合了最新之穩定的電隔離技術、優化的去飽和保護功能，以及靈活的米勒鉗位架構 |
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創新光科技提升汽車外飾燈照明度 (2024.12.02)
現階段的汽車照明設計正朝著動態高解析度和高像素數的方向發展，逐步向創新驅動轉變，而不斷優化和提升車用LED的效能與成本效益，已成為新產品開發過程中的核心追求 |
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艾邁斯歐司朗OSCONIQ C 3030 LED打造未來戶外及體育場館照明環境 (2024.11.12)
全球領先的光學解決方案供應商艾邁斯歐司朗推出新一代高效能LED—OSCONIQ C 3030。這款LED系列針對嚴苛的戶外及體育場館照明環境而設計，兼具出色的發光強度與卓越的散熱效能 |
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鍺：綠色回收與半導體科技的新未來 (2024.10.24)
鍺的環保回收值得關注，特別是從電子廢棄物中回收鍺，提高回收率並降低成本，減少資源浪費降低環境負荷。此外，鍺近來在半導體先進製程中扮演要角，無疑也是一個值得重視和推進的方向 |
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意法半導體新款車規直流馬達預驅動器可簡化EMI優化設計 (2024.08.27)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）新款L99H92車規閘極驅動器提供電流設置和診斷功能所需的SPI埠，還有電荷泵和安全保護功能，新增兩個用於監測系統運作狀態的電流感測放大器 |
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跨過半導體極限高牆 奈米片推動摩爾定律發展 (2024.08.21)
奈米片技術在推動摩爾定律的進一步發展中扮演著關鍵角色。
儘管面臨圖案化與蝕刻、熱處理、材料選擇和短通道效應等挑戰，
然而，透過先進的技術和創新，這些挑戰正在逐步被克服 |
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自動測試設備系統中的元件電源設計 (2024.07.26)
本文敘述為自動測試設備（ATE）系統中的元件電源（DPS） IC選型指南，能夠協助客戶針對其ATE系統的實際要求選擇合適的DPS IC，並滿足ATE系統輸出電流、熱要求的系統級最佳化架構 |
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晶背供電技術的DTCO設計方案 (2023.08.11)
比利時微電子研究中心（imec）於本文攜手矽智財公司Arm，介紹一種展示特定晶背供電網路設計的設計技術協同優化（DTCO）方案，其中採用了奈米矽穿孔及埋入式電源軌來進行晶背佈線 |
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ST高整合高壓驅動器可縮小高性能超音波掃描器尺寸並簡化設計 (2023.08.11)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）新款STHV200超音波IC單晶片整合線性驅動器、脈衝驅動器與鉗位、開關和診斷電路，可簡化醫療用和工業用掃描器設計，縮小尺寸並降低物料成本 |
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艾邁斯歐司朗中功率UV-C LED 可實現出色電光轉換效率 (2023.03.29)
艾邁斯歐司朗（AMS）宣佈推出OSLON UV 3535系列中功率UV-C LED，使用壽命更長、輸出功率更大且系統整合更容易，進一步滿足客戶需求。
OSLON UV 3535 LED擁有緊湊的設計、領先的效率和卓越的品質，是淨水、空調系統等消費和工業應用的理想選擇 |
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驅動技術譜新章 Micro LED躍居最佳顯示技術 (2023.03.23)
未來Metavers的使用不僅限於商業領域，還更會在家庭市場中普及。因此全球各大業者都積極投入VR或AR眼鏡的開發，而Micro LED就成了未來對更小、更輕、更節能的高解析度顯示器的高度潛力技術 |
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ST新款可擴展車規高邊驅動器 先進功率技術讓功能更豐富 (2023.02.24)
意法半導體（STMicroelectronicsST）推出新款單通道、雙通道和四通道的車規閘極驅動器，其採用標準的PowerSSO-16封裝，腳位分配可簡化電路設計，並增加更多驅動通道。
新的閘極驅動器適用於所有汽車系統設備 |
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ST推出64通道超音波發射器 縮小掃描器尺寸並提升影像畫質 (2022.11.03)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）推出具有新功能之64通道超音波發射器，使攜帶式高性能工業與醫療用儀器更加便利，影像畫質更加清晰。
現在的攜帶型掃描器的尺寸到幾乎等同於一台智慧型手機，且其影像畫質可媲美過去昂貴的大型影像掃描系統 |
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模型設計開發（MBD）整合驅動與馬達的優勢 (2022.08.25)
建立軟體模型進行產品設計開發（Model base design；MBD）已是目前產品開發趨勢所在，不僅可加速開發速度也可降低開發成本。對於馬達開發更是扮演著舉足輕重的角色.. |
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SiC牽引逆變器降低功率損耗和熱散逸 (2022.08.25)
本文說明如何在EV牽引逆變器中驅動碳化矽（SiC）MOSFET，透過降低電阻和開關損耗來提高效率，同時增加功率和電流密度。 |
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TI：SiC MOSFET可減少功率損耗和熱散逸 (2022.08.11)
隨著電動車（EV）製造商之間為了開發成本更低、續航里程更長的車型所進行的競爭日益激烈，電力系統工程師必須設法藉由降低功率損耗和提高牽引逆變器系統效率，來提升續航里程並增加競爭優勢 |
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功率半導體元件的主流爭霸戰 (2022.07.26)
多年來，功率半導體以矽為基礎，但碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三類半導體材料出現，讓功率半導體元件的應用更為多元。 |
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艾邁斯歐司朗推出生命體徵監測應用新品 實現高效能和靈活性 (2022.06.28)
艾邁斯歐司朗推出一系列用於生命體徵監測應用的新產品。FIREFLY發射器系列、Chip LED光電二極體系列和BIOFY模組系列的新產品效能都有所提高，在滿足客戶特定的生命體徵監測行動應用要求方面具有很大的靈活性 |
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應用材料推出EUV延展2D微縮與3D閘極全環電晶體技術 (2022.04.25)
應用材料公司推出多項創新技術，協助客戶運用EUV持續進行2D微縮，並展示業界最完整的次世代3D閘極全環電晶體製造技術組合。
晶片製造商正試圖透過兩個可相互搭配的途徑來增加未來幾年的電晶體密度 |
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評比奈米片、叉型片與CFET架構 (2022.04.21)
imec將於本文回顧奈米片電晶體的早期發展歷程，並展望其新世代架構，包含叉型片（forksheet）與互補式場效電晶體（CFET）。 |
