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波蘭實驗室研發鑽石「微刻印」技術 有望終結血鑽石 (2025.01.21)
雖然國際法明令禁止衝突鑽石交易，但現行的認證制度仍存在漏洞，難以百分百保證鑽石來源。如今，波蘭一間實驗室研發出突破性的「微刻印」技術，有望徹底杜絕血鑽石，為珠寶產業帶來革命性的改變 |
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半鑲嵌金屬化：後段製程的轉折點？ (2025.01.03)
五年多前，比利時微電子研究中心（imec）提出了半鑲嵌（semi-damascene）這個全新的模組方法，以應對先進技術節點銅雙鑲嵌製程所面臨的RC延遲增加問題。 |
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半導體生產技術加速演進 高純度氣體供應為成功基礎 (2024.12.18)
在現代半導體製造過程中，氮氣與氧氣扮演著不可或缺的角色。這些氣體不僅是半導體製造環境中重要的組成部分，更是確保製程穩定性與產品良率的關鍵。氮氣因其化學性質穩定，被廣泛用於提供無氧環境以避免氧化反應，並在製造過程中用於清潔與乾燥晶圓 |
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GenAI時代需求高速資料處理效能 3D NAND技術將無可取代 (2024.12.16)
隨著生成式人工智慧（Generative AI, GenAI）與邊緣運算的快速發展，全球對高效能、高容量儲存技術的需求急速攀升。雖然GPU與DRAM常被視為推動AI發展的核心，3D NAND技術憑藉其優異的儲存密度、可靠性與能源效率，成為支撐AI應用的關鍵基石，默默扮演著「隱形推手」的角色 |
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半導體面臨快速擴張與人才短缺挑戰 協作機器人助改善現況 (2024.12.16)
隨著半導體製程技術的不斷進步，晶圓製造設備的維護與優化成為產業關鍵議題。現代晶圓廠內，數百種高度複雜的製程設備同時運行，製造奈米級半導體產品需要依賴物理、化學與機器人技術的高度協同 |
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超高亮度Micro-LED突破綠光瓶頸 開啟顯示技術新紀元 (2024.12.15)
根據《nature》期刊，氮化鎵Micro-LED陣列亮度突破10x7尼特，實現高達1080×780像素的高密度微型顯示器。這一突破克服了晶圓級高質量磊晶生長、側壁鈍化、高效光子提取和精巧的鍵合技術等長期挑戰，為AR/VR設備、可穿戴設備和下一代消費電子產品帶來巨大優勢 |
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台達全新溫度控制器 DTDM系列實現導體加工精準控溫 (2024.11.27)
台達高精度模組化溫度控制器DTDM系列，採高度整合的模組化硬體設計，包括量測主機、量測擴充機、數位輸入/輸出模組以及EtherCAT通訊模組。單一DTDM群組最多可支援32組PID控制、128個輸入輸出，並可自由指派輸出接點，方便使用者依需求彈性擴充與使用 |
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PCB搶進智慧減碳革新 (2024.10.29)
當前國內外電子品牌大廠積極推動產品碳中和浪潮下的綠色生產議題，卻累積推進台灣PCB廠商等上游製程端節能減碳的壓力，持續往高階供應鏈轉型發展。並依TPCA盤點產業耗電後，更需要及早投入低碳製造布局維持產業競爭優勢 |
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PCB智慧製造布局全球 (2024.10.28)
對於台灣PCB產業而言，節能減碳和China+1等永續策略布局，更是揮之不去的挑戰，也影響未來產值能否回穩並成長的關鍵！ |
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鍺：綠色回收與半導體科技的新未來 (2024.10.24)
鍺的環保回收值得關注，特別是從電子廢棄物中回收鍺，提高回收率並降低成本，減少資源浪費降低環境負荷。此外，鍺近來在半導體先進製程中扮演要角，無疑也是一個值得重視和推進的方向 |
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產學合作發表全臺首套VR互動式微奈米科技訓練平台 (2024.10.23)
半導體產業求才若渴，國立成功大學核心設施中心與正修科技大學電子工程系、數位科技業者酷奇思數位園三方合作，針對半導體製程，以遊戲化方式打造出全臺首套VR互動式微奈米科技訓練平台，不必真實地進入無塵室，也能夠在虛擬環境中掌握半導體製程操作，有效地節省時間與成本 |
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機械聚落結盟打造護國群山 (2024.09.27)
受惠於當今人工智慧（AI）驅動全球半導體產業顯著增長，從材料到技術的突破，更仰賴群策群力，半導體技術也需要整合更多不同資源，涵括先進與成熟、前後段製程設備，才能真正強化供應鏈韌性與創新實力 |
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先進封測技術帶動新一代半導體自動化設備 (2024.09.27)
因應近年來人工智慧熱潮推波助瀾下，科技巨頭無不廣設資料中心，備妥「算力軍火庫」。因此帶動龐大AI先進製程晶片需求，卻也造就台灣半導體代工產業鏈產能缺口，分別投入矽光子等先進封裝製程布新局 |
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進入High-NA EUV微影時代 (2024.09.19)
比利時微電子研究中心（imec）運算技術及系統／運算系統微縮研究計畫的資深副總裁（SVP）Steven Scheer探討imec與艾司摩爾（ASML）合建的High-NA EUV微影實驗室對半導體業的重要性 |
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2024.9(第394期)奈米片製程 (2024.08.26)
奈米片在推動摩爾定律發展中扮演關鍵角色。
儘管面臨圖案化與蝕刻、熱處理、短通道效應等挑戰，
然而，透過技術創新，這些挑戰正在逐步被克服。
生成式AI和大語言模型對HBM的需求也在增加 |
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跨過半導體極限高牆 奈米片推動摩爾定律發展 (2024.08.21)
奈米片技術在推動摩爾定律的進一步發展中扮演著關鍵角色。
儘管面臨圖案化與蝕刻、熱處理、材料選擇和短通道效應等挑戰，
然而，透過先進的技術和創新，這些挑戰正在逐步被克服 |
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imec採用High-NA EUV技術 展示邏輯與DRAM架構 (2024.08.11)
比利時微電子研究中心（imec），在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室中，利用數值孔徑0.55的極紫外光曝光機，發表了曝光後的圖形化元件結構 |
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科林研發推出Lam Cryo 3.0低溫蝕刻技術 加速3D NAND在AI時代的微縮 (2024.08.06)
Lam Research 科林研發推出 Lam Cryo 3.0，這是該公司經過生產驗證的第三代低溫介電層蝕刻技術，擴大了在 3D NAND 快閃記憶體蝕刻領域的領先地位。隨著生成式人工智慧（AI）的普及不斷推動更大容量和更高效能記憶體的需求，Lam Cryo 3.0 為未來先進 3D NAND 的製造提供了至關重要的蝕刻能力 |
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Lam Research以Lam Cryo 3.0 低溫蝕刻技術加速實現3D NAND目標 (2024.08.06)
隨著生成式人工智慧（AI）普及推升更大容量和更高效能記憶體的需求，Lam Research科林研發推出第三代低溫介電層蝕刻技術Lam Cryo 3.0，已經過生產驗證，擴大在3D NAND快閃記憶體蝕刻領域的地位 |
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imec展示單片式CFET功能元件 成功垂直堆疊金屬接點 (2024.06.21)
於本周舉行的2024年IEEE國際超大型積體電路技術研討會（VLSI Symposium）上，比利時微電子研究中心（imec）首次展示了具備電性功能的CMOS互補式場效電晶體（CFET）元件，該元件包含採用垂直堆疊技術形成的底層與頂層源極／汲極金屬接點（contact） |
