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研究：全球晶圓代工產業因AI需求推動營收增長 (2024.08.21)
根據Counterpoint Research的晶圓代工季度追蹤報告，2024年第二季度全球晶圓代工產業的營收季增約9%，年增約23%，主要受AI需求強勁推動。CoWoS供應持續緊張，未來的產能擴充將集中於CoWoS-L |
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跨過半導體極限高牆 奈米片推動摩爾定律發展 (2024.08.21)
奈米片技術在推動摩爾定律的進一步發展中扮演著關鍵角色。
儘管面臨圖案化與蝕刻、熱處理、材料選擇和短通道效應等挑戰，
然而，透過先進的技術和創新，這些挑戰正在逐步被克服 |
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IDC：2022年全球晶圓代工成長27.9% 2023年將減6.5% (2023.06.25)
根據IDC（國際數據資訊）最新研究顯示，2022年受惠於客戶長約、代工價調漲、製程微縮、擴廠等因素，2022 年全球晶圓代工市場規模年成長 27.9%，再創歷史新高。
IDC資深研究經理曾冠瑋表示：「晶圓代工產業在半導體供應鏈中扮演關鍵角色 |
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SEMI：全球12吋晶圓廠擴產速度趨緩 2026年產能續創新高 (2023.03.28)
SEMI國際半導體產業協會於今（28）日發佈「12吋晶圓廠至2026年展望報告（300mm Fab Outlook to 2026）」指出，全球半導體製造商2026年將推升12吋晶圓廠產能至每月960萬片（wpm）的歷史新高 |
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TrendForce：第一季晶圓代工產值季增8.2% (2022.06.20)
據TrendForce研究顯示，儘管消費性電子需求持續疲弱，但伺服器、高效能運算、車用與工控等領域產業結構性增長需求不墜，成為支持中長期晶圓代工成長的關鍵動能。同時，由於2022年第一季產出大量漲價晶圓，推升該季產值連續十一季創下新高，達319.6億美元，季增幅8.2%較前季略為收斂 |
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2021年第四季晶圓代工產值達295.5億美元 連續十季創下新高 (2022.03.14)
據TrendForce研究，2021年第四季前十大晶圓代工業者產值合計達295.5億美元，季增8.3%，已連續十季創新高，不過成長幅度較第三季略收斂。
TrendForce指出，主要有兩大因素交互影響 |
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第二季晶圓代工受惠價漲量增 產值季增6%創歷史新高 (2021.08.31)
根據TrendForce調查顯示，後疫情需求、通訊世代轉換、及地緣政治風險和長期缺貨引發的恐慌性備貨潮在第二季度持續延燒，受到晶圓代工產能限制而無法滿足出貨目標的各項終端產品備貨力道不墜，加上第一季漲價晶圓陸續產出的帶動下，第二季晶圓代工產值達244.07億美元，季增6.2%，自2019年第三季以來已連續八個季度創下歷史新高 |
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晶圓代工產能成稀缺資源 2021年產值成長將近6％再創新高 (2020.12.29)
根據TrendForce旗下半導體研究處表示，2020年上半年全球半導體產業受惠於疫情導致的恐慌性備料，以及遠距辦公與教學的新生活常態，下半年則因華為禁令的提前拉貨，與5G智慧型手機滲透率提升及相關基礎建設需求強勁，預估2020年全球晶圓代工產值將達846億美元，年成長23.7%，成長幅度突破近十年高峰 |
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前十大晶圓代工業者產值年增18% 聯電將擠進前三 (2020.12.07)
TrendForce旗下拓墣產業研究院表示，第四季晶圓代工市場需求依舊強勁，各業者產能呈現持續滿載，產能吃緊使得漲價效應帶動整體營收向上，預估2020年第四季全球前十大晶圓代工業者營收將超過217億美元，年成長18%，其中市占前三大分別為台積電（TSMC）、三星（Samsung）、聯電（UMC） |
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疫情無礙訂單 第二季全球晶圓代工產值年增2成 (2020.06.11)
根據TrendForce旗下拓墣產業研究院最新調查，2020年第一季晶圓代工訂單未出現大幅度縮減，以及客戶擴大既有產品需求並導入疫情衍生的新興應用，加上2019年同期基期低，全球前十大晶圓代工業者2020年第二季營收年成長逾2成 |
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2020第一季全球晶圓代工產值年增3成 新冠肺炎不利後續 (2020.03.19)
根據TrendForce旗下拓墣產業研究院分析，2020年第一季晶圓代工產業延續上一季的訂單挹注與庫存回補，預估總產值僅較前一季衰退2%，年度表現受惠2019年同期基期較低，年成長近30% |
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TrendForce：2019年第二季全球前十大晶圓代工營收表現不如預期 (2019.06.13)
根據TrendForce旗下拓墣產業研究院最新報告統計，由於全球政經局勢動盪，致使第二季延續前一季需求疲弱，各廠營收與去年同期相比普遍呈現下滑，預估第二季全球晶圓代工總產值將較2018年同期下滑約8%，達154億美元 |
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TrendForce：2019年Q1前十大晶圓代工營收排名 台積電市占達48.1% (2019.03.19)
根據TrendForce旗下拓墣產業研究院最新報告統計，由於包含智慧型手機在內的大部分終端市場需求疲乏的現象，導致先進製程發展驅動力道下滑，晶圓代工業者於2019年第一季面臨相當嚴峻的挑戰，預估第一季全球晶圓代工總產值將較2018年同期衰退約16%，達146.2億美元 |
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華虹半導體宣佈第二代0.18微米5V/40V BCD製程平臺成功量產 (2018.10.11)
中國晶圓代工廠華虹半導體宣佈，其第二代0.18微米5V/40V BCD製程平臺已成功量產，該平臺具有導通電阻低、高壓種類全、光刻層數少等優勢，非常適合於工業控制應用和DC-DC轉換器 |
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華虹半導體深耕MCU市場 模擬IP組合來助力 (2018.06.15)
中國華虹半導體有限公司宣布，基於0.11微米超低漏電嵌入式快閃記憶體技術平台（0.11μm Ultra Low Leakage eNVM Platform，簡稱「0.11μm ULL平台」），自主研發了超低功耗模擬IP，包括時鐘管理（Clock Management）、電源管理（Energy Management）、模數轉換(Analog Digital Converter)等 |
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TrendForce：2018年大陸晶圓製造12吋月產能逼近70萬片 (2018.01.22)
根據全球市場研究機構TrendForce最新「中國半導體產業深度分析報告」指出，高資本支出的晶圓廠建設專案備受業界關注，尤其是近期士蘭微、粵芯等新一批晶圓製造專案的出現，將使得產業競爭升溫，並且帶動產能擴增，預估至2018年底中國大陸12吋晶圓製造月產能將接近70萬片，較2017年底成長42 |
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華虹半導體第二代90nm G1 eFlash製程平台成功量產 (2017.12.27)
華虹半導體宣佈其第二代90奈米嵌入式快閃記憶體90nm G2 eFlash製程平台已成功實現量產，技術實力和競爭力再度加強。
華虹半導體在第一代90奈米嵌入式快閃記憶體(90nm G1 eFlash)製程技術積累的基礎上，於90nm G2 eFlash製程平臺實現了多方面的技術提升 |
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華虹半導體推出12位SAR ADC IP助超低功耗MCU平台 (2017.12.17)
華虹半導體宣佈基於其0.11微米超低漏電（Ultra-Low-Leakage，ULL）嵌入式閃存（eFlash）工藝平台，推出自主設計的超低功耗12位逐次逼近（SAR）型模數轉換器（ADC）（12-Bit SAR ADC）IP |
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2017全球晶圓代工 主要成長引擎為10nm製程 (2017.11.30)
根據TrendForce旗下拓墣產業研究院最新報告指出，受到高運算量終端裝置以及資料中心需求的帶動，2017年全球晶圓代工總產值約573億美元，全球晶圓代工產值連續五年年成長率高於5%，2017主要成長引擎為10nm製程 |
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華虹半導體深耕FS IGBT 聚焦新能源汽車應用 (2016.07.21)
全球200mm純晶圓代工廠─華虹半導體宣布，將充分利用在IGBT（絕緣?雙極型晶體管）技術方面的優勢，積極開拓新能源汽車市場，加速新能源汽車晶片國產化進程。
IGBT是新一代電能轉換和控制的核心器件 |
