華虹半導體宣佈其第二代90奈米嵌入式快閃記憶體90nm G2 eFlash製程平台已成功實現量產，技術實力和競爭力再度加強。

華虹半導體第二代90nm G1 eFlash 工藝平台成功量產

華虹半導體在第一代90奈米嵌入式快閃記憶體(90nm G1 eFlash)製程技術積累的基礎上，於90nm G2 eFlash製程平臺實現了多方面的技術提升。90nm G2微縮了Flash的元胞尺寸，較第一代減小約25%，為目前全球晶圓代工廠90奈米製程節點嵌入式快閃記憶體技術的最小尺寸。此外，90nm G2採用了新的Flash IP設計架構，在保證高可靠性 (即10萬次讀寫及25年資料保持能力) 的同時，提供了極小面積的低功耗Flash IP。因此，90nm G2 eFlash能夠大大縮小整體晶片面積，從而在單片晶圓上擁有更多的裸晶片數量，尤其對於具有高容量eFlash的晶片產品，90nm G2 eFlash的面積優勢更為顯著。值得一提的是，90nm G2 eFlash在第一代的基礎上又縮減了一層光罩，使得製造成本更低。

目前，90nm G2 eFlash已實現了高良率的穩定量產，成功用於大規模生產電信卡晶片，並將為智慧卡晶片、安全晶片產品以及MCU等多元化產品提供更具性價比的晶片製造技術解決方案。

華虹半導體執行副總裁孔蔚然博士表示：「第二代的90nm G2 eFlash製程的成功量產，標誌著華虹半導體在特色化嵌入式快閃記憶體技術上的又一次成功。嵌入式非易失性記憶體技術是我們的戰略重點之一，長期以來憑藉著高安全性、高穩定性、高性價比以及技術先進性在業界廣受認可。作為全球領先的智慧卡IC代工廠，華虹半導體將堅持深耕，不斷優化製程，升級平台，持續領航智慧IC卡代工領域，並大力發力物聯網、新能源汽車等高增長新興市場。」