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碳化矽邁入新時代 ST 25年研發突破技術挑戰 (2021.07.30)
本文探討碳化矽在當今半導體產業中所扮演的角色、碳化矽的研發歷程,以及未來發展方向。以及意法半導體研發碳化矽25年如何克服技術挑戰及創新技術的歷程。
東芝研發出能使矽晶片發光的技術 (2009.02.25)
外電消息報導,東芝日前在國際奈米科技展(nano tech 2009)上,展示了一項在矽晶片上形成發光元件的技術。該技術能在4K的超低溫狀態下,發出約1.5μm的光波長。 據報導,這項技術東芝已在2008年的應用物理學會上發表過,日前又再次的進行展示
矽基發光的可能性 (2004.11.04)
若能利用發展成熟的矽半導體製程生產發光元件,將可為光電產業帶來龐大利益,而此一領域技術也成為學界長期以來的研究目標;本文將介紹目前國內在量子點與超晶格上發光元件的研究成果,並分析其發光的機制,進一步提出矽基發光的可能發展
ST發光矽技術 成功整合光學/電子功能 (2002.11.05)
根據外電消息,半導體商ST(意法半導體)近日宣佈其發光矽(Light-emitting silicon)技術已有突破,並且表示此成果可將光學和電子功能整合於一塊矽晶片上,使矽發光器的效率,首次達到砷化鎵(GaAs)等材料的效果,預計今年底前開始提供該技術之工程樣品


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