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進入High-NA EUV微影時代 (2024.09.19)
比利時微電子研究中心（imec）運算技術及系統／運算系統微縮研究計畫的資深副總裁（SVP）Steven Scheer探討imec與艾司摩爾（ASML）合建的High-NA EUV微影實驗室對半導體業的重要性 |
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imec執行長：全球合作是半導體成功的關鍵 (2024.09.03)
imec今日於SEMICON Taiwan 2024前夕舉辦ITF Taiwan 2024技術論壇，以「40年半導體創新經驗與AI的大躍進」為主題，歡慶imec成立40週年，並展示其在推動半導體產業發展的關鍵成就與行動 |
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imec展示單片式CFET功能元件 成功垂直堆疊金屬接點 (2024.06.21)
於本周舉行的2024年IEEE國際超大型積體電路技術研討會（VLSI Symposium）上，比利時微電子研究中心（imec）首次展示了具備電性功能的CMOS互補式場效電晶體（CFET）元件，該元件包含採用垂直堆疊技術形成的底層與頂層源極／汲極金屬接點（contact） |
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EV GROUP將革命性薄膜轉移技術投入量產 (2023.12.12)
EV Group（EVG）宣布推出EVG 850 NanoCleave薄膜剝離系統，這是首款採用EVG革命性NanoCleave技術的產品平台。EVG850 NanoCleave系統使用紅外線（IR）雷射搭配特殊的無機物材質，在透過實際驗證且可供量產（HVM）的平台上，以奈米精度讓已完成鍵合、沉積或增長的薄膜從矽載具基板釋放 |
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imec觀點：微影圖形化技術的創新與挑戰 (2023.05.15)
此篇訪談中，比利時微電子研究中心（imec）先進圖形化製程與材料研究計畫的高級研發SVP Steven Scheer以近期及長期發展的觀點，聚焦圖形化技術所面臨的研發挑戰與創新。 |
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看好晶片微縮進展 imec提出五大挑戰 (2023.03.13)
面對當代的重大挑戰時，人工智慧應用越來越廣泛，未來的運算需求預計會每半年翻漲一倍。為了在處理暴增的巨量資料的同時維持永續性，需要經過改良的高性能半導體技術 |
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imec推出雙層半鑲嵌整合方案 4軌VHV繞線設計加速邏輯元件微縮 (2022.12.09)
本周IEEE國際電子會議（IEDM）上，比利時微電子研究中心（imec）發表了最新的半鑲嵌整合方案，透過導入VHV繞線技術（vertical-horizontal-vertical）來實現4軌（4T）標準單元設計，加速元件微縮 |
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EVG推出NanoCleave薄膜釋放技術 使先進封裝促成3D堆疊 (2022.09.13)
EV Group（EVG）今日宣布推出NanoCleave技術，這是一種供矽晶圓使用的革命性薄膜釋放技術，此技術使得先進邏輯、記憶體與功率元件的製作及半導體先進封裝的前段處理製程，能使用超薄的薄膜堆疊 |
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關於台積電的2奈米製程，我們該注意什麼？ (2022.07.29)
台積在6月底正式宣布了他們的2nm技術藍圖，有什麼重要性？又會帶出哪些半導體製造技術的風向球？本文就從技術演進，以及市場競爭與成本的角度來切入分析。 |
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評比奈米片、叉型片與CFET架構 (2022.04.21)
imec將於本文回顧奈米片電晶體的早期發展歷程，並展望其新世代架構，包含叉型片（forksheet）與互補式場效電晶體（CFET）。 |
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2022.4月(第365期)車用晶片智慧出行 (2022.04.06)
新冠疫情引爆「晶片荒」，
其中又以汽車晶片最為嚴重，
不少汽車業者因晶片短缺被迫持續減產。
2022年車用晶片雖然不若2021年吃緊，
供需恢復正常最快也要等到2023年 |
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加速導入二維材料 突圍先進邏輯元件的開發瓶頸 (2021.05.10)
二維材料是備受全球矚目的新興開發選擇，各界尤其看好這類材料在延續邏輯元件微縮進展方面的潛力。 |
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邁向1nm世代的前、中、後段製程技術進展 (2020.12.08)
為了實現1nm技術節點與延續摩爾定律，本文介紹前、中、後段製程的新興技術與材料開發，並提供更多在未來發展上的創新可能。 |
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邏輯元件製程技術藍圖概覽（上） (2020.11.10)
愛美科CMOS元件技術研究計畫主持人Naoto Horguchi、奈米導線研究計畫主持人Zsolt Tokei彙整各自的領域專長，將於本文一同呈現先進製程技術的發展藍圖。 |
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微縮實力驚人 台積3奈米續沿用FinFET電晶體製程 (2020.06.04)
台積電終於在今年第一季的法人說明會裡，透露了其3奈米將採取的技術架構，而出乎大家意料的，他們將繼續採取目前的「FinFET」電晶體技術。 |
