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imec採用High-NA EUV技術 展示邏輯與DRAM架構 (2024.08.11)
比利時微電子研究中心（imec），在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室中，利用數值孔徑0.55的極紫外光曝光機，發表了曝光後的圖形化元件結構 |
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用「釕」金屬實現2奈米製程 (2020.10.11)
Imec展示可實現2奈米製程的先進互連方案的替代金屬技術
在2020年國際互連技術大會上，imec首次展示了採用釕金屬(Ru)，具備電氣功能的雙金屬層級結構（2-metal-level）互連技術 |
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供過於求 DRAM產值持續衰退 (2016.02.15)
TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新報告顯示，受到DRAM平均銷售單價持續下降及市況持續供過於求影響，2015年第四季全球DRAM總產值為102.7億美元，季衰退9.1%。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示 |
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宜特研究Creep Corrosion再下一城，推出濕硫磺蒸氣(FOS)試驗 (2014.04.21)
iST宜特科技今宣佈(4/21號) 與國際客戶策略合作工程技術發展，成功研究出抵抗環境因素，克服高端產品(例如4G/LTE、雲端伺服器)中之PCB爬行腐蝕(Creep Corrosion)的驗證技術-濕硫磺蒸氣試驗(Flower of Sulfur Test，簡稱FOS) |
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2012年全球晶圓製造設備支出衰退8.9% (2012.06.26)
國際研究暨顧問機構Gartner發布最新展望報告，2012年全球晶圓製造設備（WFE）支出預期為330億美元，較2011年362億美元的支出規模衰退了8.9%。Gartner分析師表示，晶圓製造設備市場可望於2013年恢復成長，預期屆時的支出規模可達354億美元，較2012年增加7.4% |
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Gartner：晶圓設備市場2013恢復成長 (2012.06.26)
隨著晶圓和其它邏輯製造廠增加30奈米以下的生產， 晶圓製造設備於2012初始表現強勁。但是，根據Gartner最新報告，2012年全球晶圓製造設備（WFE）支出預期為330億美元，較2011年362億美元的支出規模衰退了8.9% |
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除了怕三星 我們還看到了什麼？ (2011.06.19)
在全球市場打滾許久的台灣電子產業界科技大老們，近日不約而同地宣洩出心中最深層的感觸：「三星好可怕」。從半導體晶圓代工、EMS專業代工、DRAM及記憶體、面板、筆電和主機板、智慧手機和媒體平板到節能電池 |
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軟實力不敵硬實力 HTC品牌排名慘遭三星擠下 (2011.06.16)
從最近台灣DRAM廠茂德財務再度傳出問題，讓人不禁想起台灣DRAM產業一路的風風雨雨。台灣DRAM產業二次崩盤潮的災情逐漸擴大，連2010年台灣DRAM廠中是少數賺錢的力晶，日前都必須先一步未雨綢繆向經濟部申請貸款展延，象徵台灣DRAM產業再度走到向政府申請紓困一途，也重演了2008年底的政府協助紓困台灣無助的DRAM廠商那一幕場景 |
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LPDDR2可望當家 Wide I/O不容小覷 (2011.05.09)
行動DRAM記憶體的發展樣貌正在改變當中，LPDDR2的出貨量很有機會在今年底前取代LPDDR1，成為行動DRAM的主流記憶體規格。但其他新興技術急起直追的態勢，也值得密切注意 |
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智慧手機和平板助攻 行動DRAM聲勢看漲 (2011.04.13)
在智慧型手機和媒體平板裝置的帶動下，行動DRAM（Mobile DRAM）需求也隨之水漲船高，包括低功耗DRAM和虛擬DRAM（Pseudo SRAM）的聲勢正不斷看漲。
2010年全球DRAM市場規模為391億美元，行動裝置相關應用就佔14％，達到55億美元 |
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行動DRAM瞬息萬變 LPDDR2被誰後來居上？ (2011.04.01)
智慧型手機和媒體平板裝置大量傳輸數據的應用趨勢，正改變行動DRAM記憶體的發展樣貌，LPDDR2的出貨量很有機會在今年底前取代LPDDR1，成為行動DRAM的主流記憶體規格。但其他新興技術急起直追的態勢，也值得密切注意 |
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全球最小9奈米記憶體 容量X20 功耗X-200 (2010.12.18)
全球最小9奈米記憶體 容量X20 功耗X-200 |
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三星大怪獸 2011年DRAM產能恐超越全台灣 (2010.08.18)
2010年全球DRAM市場容量需求高達44%，其中LCD TV、智慧型手機以及工業應用需求成長高於市場平均。也因需求大，平均售價高，帶動營收創下歷史新高，但MIC產業分析師李曉雯認為，下半年供需比將呈現不平衡狀態，DRAM價格將逐步下跌，尤以現貨表現明顯 |
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希捷與三星締結企業級SSD控制器聯合開發協定 (2010.08.16)
希捷科技和三星電子（Samsung）近日宣佈，兩家公司已開始合作研發企業級SSD控制器技術並簽署了授權協議。雙方將在此一合作協定下，共同開發以及交叉授權固態硬碟（solid state drive;SSD）儲存裝置的相關控制器技術（controller technologies），提供符合企業儲存應用所要求的高效能、可靠性與耐用性 |
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高容量記憶體 可望因3D IC而不再是奢侈品 (2010.06.24)
旺宏電子今日（6/24）發表最新的3D NAND Flash研究成果，其總經理盧志遠表示，這顆3D IC與一般討論的Sip、TSV技術不同，但是能夠大幅降低Bit Cost。未來若能步入量產，可以解決高容量記憶體成本高昂的問題，最高目標希望能與硬碟並駕齊驅，甚至超越硬碟 |
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三星電子發表全新高效能NAND記憶體 (2010.05.07)
三星電子日前發表新款8Gb OneNAND晶片，是利用30奈米級的製程技術完成，由於多元的應用軟體與大量多媒體軟體的使用日漸增長，創造了智慧型手機需要更多程式資料儲存的趨勢，基於單層式（SLC）NAND flash設計的全新高密度OneNAND則可滿足此需求 |
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三星推出多晶片封裝PRAM晶片 行動電話設計專用 (2010.05.03)
三星電子（Samsung）日前發表一款多晶片封裝 （multi-chip package; MCP）的PRAM，將在本季度稍晚專門提供給行動電話設計使用。
此款三星的512Mb MCP PRAM與40奈米級NOR Flash的軟硬體功能皆相容，此MCP亦可完全相容於以往獨立式 （stand-alone）PRAM晶片技術，可帶給行動電話設計人員相當的便利性 |
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三星正式量產20奈米級NAND Flash記憶體 (2010.04.27)
三星電子（Samsung）宣佈正式領先量產業界第一款20奈米級NAND晶片，可用在SD記憶卡與嵌入式記憶體解決方案，基於這先進的技術而發表的32Gb MLC NAND，更進一步擴展三星的記憶卡解決方案，可提供智慧型
手機、高階IT應用與高效能記憶卡更多開發選擇 |
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三星量產新30nm記憶體晶片 讀寫達133Mbps (2009.12.02)
外電消息報導，三星電子日前宣佈，將開始量產兩款30奈米製程的NAND快閃記憶體晶片。其中一款將採類似DDR記憶體的雙通道傳輸技術，其讀取頻寬將是傳統快閃記憶體晶片的3倍左右，最高可達133Mbps |
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搶佔MRAM先機 韓政府攜手三星與海力士 (2009.12.01)
外電消息報導，韓國政府日前宣佈，將與三星電子及海力士合作，進行磁性隨機記憶體（Spin Transfer Torque-Magnetic Random Access Memory；MRAM)）的研發，以維持韓國在全球記憶體產業的領先地位 |
