智慧型手機和媒體平板裝置大量傳輸數據的應用趨勢，正改變行動DRAM記憶體的發展樣貌，LPDDR2的出貨量很有機會在今年底前取代LPDDR1，成為行動DRAM的主流記憶體規格。但其他新興技術急起直追的態勢，也值得密切注意。

根據市調機構iSuppli預估，今年LPDDR2將成為在行動DRAM領域佔主導地位的熱門技術，預計在第2季之前，將可佔行動DRAM市場40％的市佔率。預計到第4季時，在媒體平板裝置的帶動下，LPDDR2可超越LPDDR1，市佔率將達58％。

行動DRAM市場今年可望呈現活絡的態勢，三星電子（Samsung Electronics）、海力士（Hynix）半導體、爾必達（Elpidia）記憶體公司和美光（Micron）科技這四大家廠商，都積極關注行動DRAM市場的走向。

不同於標準DRAM產品，行動DRAM更著重於降低功耗、減少散熱以及縮小空間等關鍵功能和特性，來滿足智慧型手機、數位相機、可攜式媒體播放器、可攜式遊戲機、平板裝置和其他消費電子產品的需求。

不過行動DRAM也面臨如何提昇效能的關鍵挑戰，儘管LPDDR2相對適用於手機和平板裝置，但是功耗和傳輸頻寬依舊是備受關注的核心。iSuppli舉例指出，當系統在1.2V工作電壓下運作時，相較於LPDDR1，LPDDR2在每單位資料傳輸可省下大約50％的功耗。不過未來當行動裝置以10倍的單位資料傳輸運作時，LPDDR2所能省下的功耗就變得很少。

LPDDR2的資料傳輸率可達8.5Gb/s，工作時脈可達1066MHz，相較於LPDDR1無疑是更為優秀的效能表現。例如三星公佈最新款傳輸速率可達4Gb/s的LPDDR2，就採用30奈米製程，工作時脈可達1066MHz，1GB封裝容量、傳速率可達8Gb/s的產品，已在3月底量產。但這對於支援不久將來的智慧型手機產品而言，效能還不夠；ISuppli就指出，業界所希望的資料傳輸率要能達到12.8GB/s的水準，LPDDR2的工作時脈勢必要更往上提昇，但這對於LPDDR2來說，可行性並不高，效能已經面臨天花板侷限。

也因此，iSuppli指出，其他可替代LPDDR2的新興行動DRAM技術依舊被市場所關注，例如Rambus主抓的Mobile XDR、SPMT協會所主導強調專利免費的SPMT（Serial Port Memory Technology）介面規格、Wide I/O、LPDDR3和DDR4等。推動SPMT介面的大廠包括三星、Silicon Image、安謀（ARM）、海力士、LG、邁威爾（Marvell）等。

這五大新興技術都強調具備比LPDDR2更低的功耗特性，傳輸速率也幾乎可達到12.8Gb/s的等級。除了Mobile XDR之外，其他新興技術不用專利費用，3月初Toshiba已經取得Rambus長達5年的Mobile XDR專利授權。Mobile XDR和SPMT短期內可進入商業化階段，LPDDR3的規格則尚未底定，至於DDR4要到2013年才會有具體的成果出現，LPDDR3和DDR4都不能採用LPDDR2的內核，也與既有的記憶體測試流程不相容。

至於Wide I/O宣稱可直接在矽晶層連結DRAM內核的特性。三星電子在3月初已經採用50奈米技術開發出Wide I/O介面的行動DRAM樣品，傳輸速率可達12.8Gb/s，功耗更可大幅降低87％，三星電子並預計到2013年開發出20奈米製程、4GB封裝容量的Wide I/O行動DRAM樣品。Mobile XDR和Wide I/O後來居上的氣勢，不容小覷。