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英飛凌推出新一代磁性位置感測器 (2012.11.21)
英飛凌(Infineon) 日前宣佈推出新一代霍爾開關 (TLE496x) 和角度感測器（TLE5009 和 TLE5012B），讓無刷直流 (BLDC) 馬達更節能、設計更為精巧。相較於傳統有刷馬達，BLDC 馬達更有效率、使用週期更長、外型設計更精巧、噪音較小，而且可靠性也更高 |
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電動動力微控制器和變頻器設計要點 (2011.01.27)
為加速油電混合車與純電動車上市時程，縮短簡化關鍵電子元件設計的步驟與架構，並且兼顧電子元件的安全和可靠度，是目前晶片廠商在技術上念茲在茲的重點。本文將以電動動力微控制器和變頻器為例，簡述電動車電子元件設計的核心要點 |
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DC/DC閘極驅動變壓器與完全整合隔離器的比較 (2010.07.20)
近來許多供應商開始以完全整合式的解決方案取代傳統的閘極驅動變壓器。本文章將會檢視使用閘極驅動變壓器時所遇到的問題，並說明一些已經開始應用的新型解決方案 |
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英飛凌感測器採用獲頒諾貝爾獎的技術 (2007.12.31)
今年的諾貝爾物理獎頒給了巨磁電阻效應的發現者。英飛凌已開始利用這種效應，測量汽車中的轉向角度，是全球第一家開始量產整合式巨磁電阻感測器(iGMR)的半導體供應商 |
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檢視STT-RAM記憶體應用優勢 (2007.10.19)
旋轉力矩轉移隨機存取記憶體（STT-RAM）是一種透過自旋電流移轉效應所開發而出的新記憶體技術，屬於非揮發性記憶體的一種，其應用優勢包括無限次數的讀寫週期、低耗電，以及運算速度更快等，更適合嵌入式設計應用 |
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光電所發表穿隧巨磁電阻效應機制自旋電晶體技術 (2004.04.05)
工研院光電所日前宣布成功研發奈米級技術──穿隧巨磁電阻效應機制自旋電晶體（Spin transistor），該技術為我國自行研發，且磁電流變化率更是凌駕世界水準，目前正申請歐、美、日等國專利，預期將可帶動台灣自旋電子產業發展，以爭取廣大商機 |
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工研院光電所開發出室溫高效益自旋電晶體技術 (2004.04.02)
奈米自旋電晶體是目前非常新穎及極具市場潛力之明星產品，工研院光電所於新竹工研院中興院區舉辦「自旋電晶體成果發表會」，會中展示已成功研發出之穿隧巨磁電阻效應機制的自旋電晶體 |
