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电子高峰会：晶圆制程挑战多 Tela绝招走江湖 (2010.05.07)
当晶圆制程从45奈米进入28奈米甚至更微型化的阶段时，其所需面对的问题则更为复杂，在实体架构设计（physical design）、DFM（design for manufacturing）、光学微影技术（Lithography）和漏电流等制程上的挑战更为严峻
中芯国际采用ARM Physical IP低耗电与高效能设计 (2006.05.30)
晶圆代工厂商中芯国际集成电路制造有限公司与ARM共同宣布，中芯国际的90奈米LL(低漏电)与G(主流)制程，已采用隸属于Artisan Physical IP之ARM Metro低耗电/高密度及Advantage高效能产品
ARMDesignStart计划正式启动 (2005.04.13)
ARM发表新推出的DesignStart计划，将协助开发业者取得由台积电、联电、中芯国际、以及特许半导体等厂商代工的ARM7TDMI处理器。此项计划将使用ARM透过并构建立的Artisan物理层IP产品网站通路，协助客户透过网站免费取得ARM7TDMI处理器的DesignStart套件


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