晶圆代工厂商中芯国际集成电路制造有限公司与ARM共同宣布，中芯国际的90奈米LL(低漏电)与G(主流)制程，已采用隸属于Artisan Physical IP之ARM Metro低耗电/高密度及Advantage高效能产品。双方达成的协议进一步扩展彼此间之合作，透过ARM网站免费提供解决方案，协助业者开发尖端设计与解决方案。

ARM Metro低耗电/高密度IP是专为可携式电子装置所设计；而Advantage除了低耗电之表现外，更提供高速之运作效能，满足消费性、通讯、以及网路市场中各种应用的需求。Metro与Advantage系列产品都含有ARM的standard cell以及多种内存编译程序。Metro standard cell包括电源管理套件，支持各种动态与漏电功耗节省技术，例如像频率控制闸、多重电压模式、以及功耗控制闸。Metro内存编

译器提供類似的先进功耗节省功能。

Metro与Advantage系列IP包括ARM阵容完整的设计视图与开发模块，能整合许多业界主流电子设计自动化（EDA）工具。这些检视方案针对Metro与Advantage产品提供功能、时序、以及功耗等方面的信息，藉以涵盖各种运作条件，让研发业者能建置复杂的耗电率管理系统，在其SoC中主动控制动态与漏电功耗。ARM Physical IP行销副总裁Neal Carney表示：「中芯国际的先进技术发展藍图持续为顾客提供各种建置解决方案，满足业者对现今SoC设计的需求。中芯国际在采用ARM之Metro与Advantage系列产品，提供客户获得针对消费性、通讯协议、以及网路应用推出优化的Physical IP解决方案。」