CTIMES - 搜尋：DRIE

如何讓電力電子產品和光電感測器有效降溫 (2020.01.09)
愛美科感測與致動研究單位的計畫主持人Philippe Soussan及其團隊，提出了一項冷卻解決方案，該解方採用優化且基於矽的微通道結構，能夠大量排除多餘的熱能。

Digi-Key 與 Kionix簽訂全球經銷協議 (2012.09.07)
Digi-Key日前宣佈與 Kionix 簽訂全球經銷協議。 Kionix 的總部設於美國紐約州伊薩卡 (Ithaca)，專為消費性電子、汽車、工業和醫療市場客戶提供領先的三軸加速計、陀螺儀及六軸組合產品

麥瑞宣佈加州聖約瑟代工廠已擁有MEMS製造能力 (2011.11.03)
麥瑞半導體（Micrel）於日前宣佈，該公司設在加利福尼亞州聖約瑟的晶圓代工廠，已開始投產微機電系統（MEMS），並表示已開始為一家MEMS廠商生產，同時也正在為其他幾家初創公司開發MEMS生產工藝

哈姆處理技術 MEMS 和微光機電系統設備使用的 SOI 襯底和鍵合 DRIE-哈姆處理技術 MEMS 和微光機電系統設備使用的 SOI 襯底和鍵合 DRIE (2011.05.27)
哈姆處理技術 MEMS 和微光機電系統設備使用的 SOI 襯底和鍵合 DRIE

2層的DRIE三維(3D)MEMS結構研究-2層的DRIE三維(3D)MEMS結構研究 (2011.03.07)
2層的DRIE三維(3D)MEMS結構研究

發展DRIE CMOS工藝技術和集成的MEMS加速計-發展DRIE CMOS工藝技術和集成的MEMS加速計 (2011.03.01)
發展DRIE CMOS工藝技術和集成的MEMS加速計

HARM技術MEMS和微光機電系統使用SOI襯底和深蝕刻設備-HARM技術MEMS和微光機電系統使用SOI襯底和深蝕刻設備 (2010.09.20)
HARM技術MEMS和微光機電系統使用SOI襯底和深蝕刻設備

深蝕刻CMOS-MEMS陀螺儀的製備表徵和分析-深蝕刻CMOS-MEMS陀螺儀的製備表徵和分析 (2010.07.15)
深蝕刻CMOS-MEMS陀螺儀的製備表徵和分析

合縱連橫的3D IC國際研究趨勢（上） (2009.11.03)
3D IC的研發工作是一件龐大的整合工作，加上其異質整合的特性，初期研發不是一間公司所能負擔的起。目前，從亞洲到歐洲及美國都成立了一些研發聯盟來推動3D IC的研發工作

Bosch Sensortec (2009.07.09)
Robert Bosch公司是全球最大的微機電系統(MEMS)感測器製造商，其MEMS晶片的生產量每年均超過1億顆。在2005年該公司成立了子公司Bosch Sensortec，以便拓展汽車應用以外的MEMS產品，並進軍消費性和其他產品領域

專訪:Aviza業務行銷副總裁David Butler (2008.10.09)
為了縮短SoC單晶片技術過於攏長的研發時程，並符合目前消費性電子輕薄短小且多功能的產品需求，市場開始尋求新一代的晶片整合技術，來因應越來越嚴峻的消費性市場挑戰，其中3D IC便是目前最受關注的技術之一

Tegal同意併購Alcatel 3D封裝與MEMS裝置之產權 (2008.09.03)
電漿蝕刻和沉積系統設計製造商Tegal Corporation宣布，其已與Alcatel Micro Machining Systems（AMMS）和Alcatel-Lucent簽約，以併購針對進階3D晶圓層級封裝應用的深層反應性離子蝕刻（DRIE），以及電漿體增強化學氣相沉積（PECVD）產品線與相關智慧財產權

換個角度看製程 STS將蝕刻技術找到新位置 (2006.09.14)
過去，蝕刻技術屬於IC製程的前端技術，稱為蝕刻工程，蝕刻為利用化學反應將薄膜與以加工，始獲得特定形狀的作業，而STS（Surface Technology Systems plc）將蝕刻技術拉離前端製程，走入後端的先進封裝，透過這次的版導體設備展宣佈，開發一項新的深反應離子蝕刻（DRIE）電漿源

SiRes MEMS矽開發技術將取代傳統石英振盪器 (2006.04.17)
美國矽谷私人創投企業SiTime 宣布，將推出以其專利MEMS FirstTM 為基礎並和 EpiSealTM CMOS 技術相容，發展製造出的 SiT1xxx 定頻及SiT8002可程式化石英振盪器樣本，提供業界試用

STS晶圓深層蝕刻機贏得Bosch訂單 (2005.08.24)
使用電漿製程技術之MEMS(微機電系統)與相關市場之成長蒸蒸日上。電漿製程技術廠商Surface Technology Systems plc(STS)宣佈，該公司新一代Pegasus晶圓深層蝕刻機(DRIE)已爭取到德國自動化MEMS設備製造大廠博世(Robert Bosch)之訂單