過去，蝕刻技術屬於IC製程的前端技術，稱為蝕刻工程，蝕刻為利用化學反應將薄膜與以加工，始獲得特定形狀的作業，而STS（Surface Technology Systems plc）將蝕刻技術拉離前端製程，走入後端的先進封裝，透過這次的版導體設備展宣佈，開發一項新的深反應離子蝕刻（DRIE）電漿源。該系統將與大量製造矽基積體電路（Ics）時，與300mm矽晶片有高度相容性。

STS所開發的一項重要矽基微細加工技術，該加工法在MEMS的製造過程中已有長達十年的歷史。隨著電路的越漸複雜及裝置速度的提升，產業需求逐漸傾向於將細薄的晶片採用堆疊方式，而非將所有的功能組件都整合於一顆平面的系統單晶片（SoC）中。當堆疊晶片的數量逐漸增加以及輸出入（I/O）數增加時，焊線法就變得越來越複雜以及昂貴，而層間互連法則在這方面有其他優勢，包括減少所需的晶片面積、縮短互連距離，且可以將導孔放置於晶片內而非晶片邊緣。隨著2005年Pegasus DRIE的推出，STS便比其他傳統的DRIE系統明顯地展示了更高的晶片蝕刻率，使層間互連法更加地吸引IC製造商，也為300mm平台帶來了同等處理能力的需求。

STS表示，目前在台灣約有50台Pegasus DRIE的蝕刻機，鎖定的客戶為先進封裝廠商與微機電代工，而在CMOS的影像顯影製程中的先進封裝已被使用，「我們致力於業務的擴展，以及將所擁有的矽晶深蝕刻技術之深度知識利用在新的運用方式上，例如先進的IC封裝」STS的台灣分公司總經理朱增基表示：「在主流市場中，新的矽晶蝕刻技術300mm電漿源將成為我們所能夠提供產業的新選擇。」