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應材推出電子束量測系統 提升High-NA EUV製程的控制與良率 (2023.03.08)
由於包含極紫外光（EUV）和新興高數值孔徑（High-NA）的光阻越來越薄，量測半導體元件特徵的關鍵尺寸變得愈來愈具挑戰性。應用材料公司最新推出新的電子束（eBeam）量測系統，則強調專門用來精確量測由EUV和High-NA EUV微影技術所定義半導體元件的關鍵尺寸（critical dimension） |
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imec最新High-NA EUV技術進展 加速微影生態系統開發 (2022.04.26)
比利時微電子研究中心（imec）於本周國際光學工程學會（SPIE）舉行的先進微影成形技術會議（2022 SPIE Advanced Lithography and Patterning Conference）上展示其High-NA微影技術的重大進展，包含顯影與蝕刻製程開發、新興光阻劑與塗底材料測試，以及量測與光罩技術優化 |
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應用材料公司推出新電子束量測系統 (2021.10.19)
應用材料公司發布獨特的電子束 (eBeam) 量測系統，提供大量元件上、跨晶圓和穿透多層結構進行圖形量測與控制的新攻略。
先進晶片是一層一層建構起來的，其過程中數十億個結構的每一個都必須被完美地圖案化 (patterned) 和對準，才能製造出具有最佳電性的電晶體和互連架構 |
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運動控制軟硬並進 (2016.05.16)
運動控制是工廠自動化系統的核心環節，各自動化大廠在此均有完整產品布局，近年來工業4.0概念興起，運動控制在軟硬兩端都有長足的進展。 |
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KLA-Tencor解決EUV研究和雙次成像微影的挑戰 (2010.02.22)
KLA-Tencor推出了最新一代的PROLITH虛擬黃光電腦模擬軟體PROLITH X3.1。其讓晶片廠商、研發機構及設備製造商能夠迅速且具成本效益地解決超紫外線（EUV）和雙次成像微影（DPL）製程中的挑戰，包括與晶圓堆疊不平坦有關的邊緣粗糙度（LER）和成像問題 |
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KLA-Tencor發表全新顯影可修正平台 (2006.03.21)
KLA-Tencor於近日正式發表K-T Analyzer—該公司全新的顯影可修正平台，能夠提供全自動化的覆蓋與關鍵尺寸(CD)度量資料的工具分析，以加速並改善進階顯影單元的限定與控制 |
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半導體量測檢驗市場加溫 (2002.06.06)
Information Network 最新報告預估，2002年全球前端半導體設備市場將比2001年成長8.2﹪該年全球半導體量測(Metrology)與檢驗(Inspection)設備市場規模將達61億美元，比2001年的45.8億美元增加33.2﹪ |
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台灣應用材料林口辦公室開幕 (2000.05.25)
台灣應用材料公司為協助南亞二廠進行廠能的擴充，特別於林口南亞二廠附近成立一新的服務據點，並成立一支技術服務團隊，全力支援南亞二廠進行量產。
南亞二廠位於林口華亞工業園區，今年二月成立試產線，並計畫於今年下半年進入量產 |
