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ROHM與台積公司在車載氮化鎵功率元件領域建立戰略合作夥伴關係 (2024.12.10)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）宣佈與Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited （以下簡稱 台積公司）在車載氮化鎵功率元件的開發和量產事宜建立戰略合作夥伴關係 |
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半導體業界持續革命性創新 有助於實現兆級電晶體時代微縮需求 (2024.12.09)
隨著人工智慧（AI）應用迅速崛起，從生成式AI到自動駕駛和邊緣運算，對半導體晶片的需求也隨之激增。這些應用要求更高效能、更低功耗以及更高的設計靈活性。尤其在2030年實現單晶片容納1兆個電晶體的目標下，半導體產業面臨著重大挑戰：電晶體和晶片內互連的持續微縮、材料創新以突破傳統設計的限制，以及先進封裝技術的提升 |
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貿澤、ADI和Bourns出版全新電子書 探索電力電子裝置GaN優勢 (2024.12.03)
貿澤電子（Mouser Electronics）與ADI和Bourns合作出版最新的電子書，探索氮化鎵（GaN）技術在追求效率、效能和永續性的過程中所面對的挑戰和優勢所在。
《10 Experts Discuss Gallium Nitride Technology》（10位專家談論氮化鎵技術）探討GaN技術如何徹底改變電力電子技術，達到比矽更高的效率、更快的開關速度和更大的功率密度 |
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筑波舉辦化合物半導體與矽光子技術研討會 引領智慧製造未來 (2024.11.15)
筑波科技（ACE Solution）攜手美商泰瑞達（Teradyne）近日舉辦年度壓軸「化合物半導體與矽光子技術研討會」。本次活動由國立陽明交通大學、中原大學電子工程學系共同主辦，打造產官學交流平台 |
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貿澤與ADI合作全新電子書探索電子設計電源效率與耐用性 (2024.11.13)
貿澤電子（Mouser Electronics）與美商亞德諾（ADI）合作出版全新的電子書，重點介紹最佳化電源系統的基本策略。在《Powering the Future: Advanced Power Solutions for Efficiency and Robustness》（為未來提供動力：實現效率和耐用性的進階電源解決方案）中，ADI和貿澤的主題專家針對電源系統中最重要的元件、架構和應用提供深入分析 |
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SiC MOSFET：意法半導體克服產業挑戰的顛覆性技術 (2024.11.11)
意法半導體中國及APeC車用SiC產品部門經理Gaetano Pignataro分享了他對碳化矽（SiC）市場的觀點、行業面臨的挑戰以及ST應對不斷增長需求的策略。 |
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ROHM參展2024慕尼黑電子展以E-Mobility、車用和工控為展示主軸 (2024.11.06)
現今電子系統的需求日益成長，尤其是在永續經營和急需創新的市場方面，先進技術將成為助力。半導體製造商ROHM將於11月12日至15日參加在德國慕尼黑舉辦的2024慕尼黑電子展（electronica 2024），展示提高車用和工控中功率密度、效率和可靠性的先進功率和類比技術，並進行技術交流合作 |
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Power Integrations推1700V氮化鎵切換開關IC (2024.11.05)
Power Integrations推出其 InnoMux-2 系列的單級、獨立穩壓多路輸出離線式電源供應器 IC 的新成員。新裝置採用了業界首款透過該公司專有 PowiGaN 技術製造的 1700 V 氮化鎵切換開關 |
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國科會新增10項核心關鍵技術 強化太空、量子、半導體領域保護 (2024.11.03)
為強化國家核心關鍵技術保護，避免國家安全、產業競爭力及經濟發展受損，國科會預告修正「國家核心關鍵技術項目及其技術主管機關」草案，新增10項太空、量子科技、半導體及能源領域之關鍵技術，預告期至11月15日止 |
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Nexperia的AC/DC反激式控制器可實現更高功率密度 (2024.10.29)
控制器可提高電源效率並降低待機功耗
Nexperia推出一系列新AC/DC反激式控制器，擴展電源IC產品組合。NEX806/8xx和NEX8180x專為基於GaN的反激式轉換器而設計，用於PD(Power Delivery)快速充電器、適配器、壁式插座、條形插座、工業電源和輔助電源等設備及其他需要高功率密度的AC/DC轉換應用 |
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Bourns全新薄型高爬電距離隔離變壓器適用於閘極驅動和高壓電池管理系統 (2024.10.27)
美商柏恩Bourns推出新款符合AEC-Q200標準的車規級薄型、高爬電距離隔離變壓器。Bourns HVMA03F4A-LP8S系列馳返變壓器專為提供高功率密度設計，實現更高效能且具備緊湊的外形尺寸，適用於閘極驅動器和高壓電池管理系統(BMS)等多項應用場合， |
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德州儀器擴大氮化鎵半導體內部製造作業 將自有產能提升至四倍 (2024.10.25)
德州儀器 （TI） 已開始在日本會津的工廠生產氮化鎵 （GaN） 功率半導體。隨著會津廠進入生產，加上位於德州達拉斯的現有GaN製造作業，TI 現針對GaN功率半導體的自有產能可增加至四倍之多 |
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國科會專案研發 MIMO 4D感測技術 實現通感算融合 (2024.10.24)
中山大學、清華大學、陽明交通大學及國研院台灣半導體研究中心組成的研究團隊，在國科會「下世代通訊系統關鍵技術研發專案」的支持下，成功研發了多輸入多輸出(MIMO) 4D感測技術，可望提升生活便利性與安全性，促進健康照護發展 |
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格棋化合物半導體中壢新廠落成 攜手中科院強化高頻通訊技術 (2024.10.23)
格棋化合物半導體中壢新廠落成，同時宣布與國家中山科學研究院（中科院）合作，雙方將共同強化在高頻通訊技術領域的應用。此外，格棋也和日本三菱綜合材料商貿株式會社簽署合作協議，雙方將致力於擴大日本民生用品和車用市場的布局 |
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Nexperia交流/直流反激式控制器IC可提高電源效率並降低待機功耗 (2024.10.17)
Nexperia推出一系列新的交流/直流反激式控制器，為擴展電源IC產品組合的最新成員。 NEX806/8xx和NEX8180x專為諸如供電（PD）充電器、適配器、牆壁插座、條形插座、工業電源和輔助電源以及其他需要高功率的AC/DC轉換應用等設備中的以GaN為基礎的反激式轉換器而設計 |
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是德科技3kV高電壓晶圓測試系統專為功率半導體設計 (2024.10.15)
是德科技（Keysight）推出4881HV高電壓晶圓測試系統，擴展其半導體測試產品組合。該解決方案可實現高達3kV的參數測試，支援一次性完成高、低電壓測試，進而提高功率半導體製造商的生產效率 |
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ASM雙腔體碳化矽磊晶平台 滿足先進碳化矽功率元件領域需求 (2024.10.07)
ASM 發布了全新PE2O8碳化矽磊晶系統。這款雙腔體碳化矽（SiC）磊晶 （Epi）平台旨在滿足先進碳化矽功率元件領域的需求，具備低缺陷率、高製程穩定性，成為業界標竿。PE2O8具備更高的產量和較低的擁有成本，促進了碳化矽元件的更廣泛應用 |
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數位電源驅動雙軸轉型 綠色革命蓄勢待發 (2024.10.01)
CTIMES日前舉辦了「數位電源驅動雙軸轉型：電子系統開發的綠色革命」為主題的東西講座研討會，此次會議深入探討了數位電源技術在推動電子系統開發的雙軸轉型中的關鍵作用，即實現更高的能源效率和更快的產品創新 |
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英飛凌全新CoolGaN Drive產品系列整合驅動器單開關和半橋 (2024.09.20)
消費電子和工業應用領域正趨向便攜化、電氣化、輕量化等多樣化發展，因此需要緊湊高效的設計，同時還需採用非常規PCB設計，但此類設計面臨嚴格的空間限制，從而限制外部元件的使用 |
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英飛凌首創12吋氮化鎵功率半導體製程技術 推動市場快速增長 (2024.09.11)
英飛凌科技（Infineon）宣佈成功開發出全球首創12吋氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓技術。英飛凌是全球首家在現有且可擴展的大規模生產環境中掌握此一技術的企業，這項突破將大幅推動GaN功率半導體市場的發展 |
