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杜邦擴增日本新潟廠的光阻製造產能 (2024.10.07)
經由新型先進廠房的啟用，以期滿足全球客戶今後對先進光阻產品的需求。杜邦公司正式宣布完成位於日本新潟縣阿賀野市新潟廠的一項重大產能擴建。該公司舉行日本傳統的玉串奉奠儀式(Tamagushi Houten Ceremony)，象徵著持續成功、繁榮與和平的祝福 |
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進入High-NA EUV微影時代 (2024.09.19)
比利時微電子研究中心（imec）運算技術及系統／運算系統微縮研究計畫的資深副總裁（SVP）Steven Scheer探討imec與艾司摩爾（ASML）合建的High-NA EUV微影實驗室對半導體業的重要性 |
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imec執行長：全球合作是半導體成功的關鍵 (2024.09.03)
imec今日於SEMICON Taiwan 2024前夕舉辦ITF Taiwan 2024技術論壇，以「40年半導體創新經驗與AI的大躍進」為主題，歡慶imec成立40週年，並展示其在推動半導體產業發展的關鍵成就與行動 |
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跨過半導體極限高牆 奈米片推動摩爾定律發展 (2024.08.21)
奈米片技術在推動摩爾定律的進一步發展中扮演著關鍵角色。
儘管面臨圖案化與蝕刻、熱處理、材料選擇和短通道效應等挑戰，
然而，透過先進的技術和創新，這些挑戰正在逐步被克服 |
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imec採用High-NA EUV技術 展示邏輯與DRAM架構 (2024.08.11)
比利時微電子研究中心（imec），在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室中，利用數值孔徑0.55的極紫外光曝光機，發表了曝光後的圖形化元件結構 |
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科林研發推出Lam Cryo 3.0低溫蝕刻技術 加速3D NAND在AI時代的微縮 (2024.08.06)
Lam Research 科林研發推出 Lam Cryo 3.0，這是該公司經過生產驗證的第三代低溫介電層蝕刻技術，擴大了在 3D NAND 快閃記憶體蝕刻領域的領先地位。隨著生成式人工智慧（AI）的普及不斷推動更大容量和更高效能記憶體的需求，Lam Cryo 3.0 為未來先進 3D NAND 的製造提供了至關重要的蝕刻能力 |
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Lam Research以Lam Cryo 3.0 低溫蝕刻技術加速實現3D NAND目標 (2024.08.06)
隨著生成式人工智慧（AI）普及推升更大容量和更高效能記憶體的需求，Lam Research科林研發推出第三代低溫介電層蝕刻技術Lam Cryo 3.0，已經過生產驗證，擴大在3D NAND快閃記憶體蝕刻領域的地位 |
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ASML與imec成立High-NA EUV微影實驗室 (2024.06.05)
比利時微電子研究中心（imec）與艾司摩爾（ASML）共同宣布，雙方於荷蘭費爾德霍溫合作開設的高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室正式啟用，為尖端的邏輯、記憶體晶片商以及先進的材料、設備商提供第一部高數值孔徑（high-NA）極紫外光（EUV）曝光機原型TWINSCAN EXE:5000以及相關的製程和量測工具 |
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應材Sculpta圖案化解決方案 拓展埃米時代晶片製造能力 (2024.02.29)
隨著台灣晶圓代工大廠持續向外擴充版圖，並將製程推進至2nm以下，正加速驅動晶片製造廠商進入埃米時代，也越來越受惠於新材料工程和量測技術。美商應用材料公司則透過開發出越來越多採用Sculpta圖案成形應用技術，與創新的CVD圖案化薄膜、蝕刻系統和量測解決方案 |
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Toppan Photomask與IBM簽署EUV光罩研發協議 推進2奈米技術 (2024.02.14)
半導體光罩供應商Toppan Photomask宣布，已與IBM就使用極紫外(EUV)光刻技術的2奈米(nm)節點邏輯半導體光罩的聯合研發達成協議。該協議尚包含開發用於下一世代半導體的高NA EUV光罩 |
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矽光子發展關鍵：突破封裝與材料障礙 (2023.08.21)
最終的光電融合是3D共封裝光學，即三維整合。可以毫不誇張地說，基於矽光子的光電子融合，將會是未來計算機系統和資訊網路的關鍵技術。 |
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imec觀點：微影圖形化技術的創新與挑戰 (2023.05.15)
此篇訪談中，比利時微電子研究中心（imec）先進圖形化製程與材料研究計畫的高級研發SVP Steven Scheer以近期及長期發展的觀點，聚焦圖形化技術所面臨的研發挑戰與創新。 |
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NVIDIA：AI加速觸及各產業 龐大生態系將不可能化為可能 (2023.03.22)
隨著如今運算技術出現他所說的「光速」發展速度，NVIDIA 創辦人暨執行長黃仁勳今日宣布與 Google、微軟、Oracle（甲骨文）及多家重量級企業展開更大規模的合作活動，將為各行各業帶來嶄新的人工智慧、模擬及協作能力 |
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imec開發虛擬晶圓廠 鞏固微影蝕刻製程的減碳策略 (2023.03.19)
由國際光學工程學會（SPIE）舉辦的2023年先進微影成形技術會議（2023 Advanced Lithography and Patterning Conference）上，比利時微電子研究中心（imec）展示了一套先進IC圖形化製程的環境影響量化評估方案 |
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看好晶片微縮進展 imec提出五大挑戰 (2023.03.13)
面對當代的重大挑戰時，人工智慧應用越來越廣泛，未來的運算需求預計會每半年翻漲一倍。為了在處理暴增的巨量資料的同時維持永續性，需要經過改良的高性能半導體技術 |
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探索埃米世代導線材料 金屬化合物會擊敗銅嗎？ (2023.01.19)
大約5年前，imec研究團隊開始探索二元與三元化合物作為未來金屬導線材料的可能性，藉此取代金屬銅。他們設計一套獨特方法，為評估各種潛在的替代材料提供指引。 |
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展望2023：高適應性是新時代的競爭力 (2023.01.04)
在技術演變迅速、複雜性不斷提升的時代，高適應性是企業在新時代的競爭力，幫助客戶提升適應力、贏得未來是益萊儲與客戶的共同目標。 |
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評比奈米片、叉型片與CFET架構 (2022.04.21)
imec將於本文回顧奈米片電晶體的早期發展歷程，並展望其新世代架構，包含叉型片（forksheet）與互補式場效電晶體（CFET）。 |
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冠橙科技光罩基板具有清洗、濺鍍和光阻塗佈技術特色 (2022.01.26)
隨著電子產品趨於輕薄短小，加工尺寸也相應的微小化，各種創新加工技術和各式各樣的微細製造模具也因應而生。由早期的印刷雕刻模具到半導體的微影曝光光罩，以及穿戴裝置產業需要更小的圖案、更大的尺寸及軟性模具等 |
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為台灣嵌入式記憶體技術奠基 國研院發表SOT-MRAM研發平台 (2021.11.09)
國研院半導體中心，今日舉行次世代嵌入式記憶體技術，「自旋軌道力矩式磁性記憶體（SOT-MRAM）」研究成果發表會。該記憶體採用垂直異向性的結構，不僅電耗更低、體積更小，同時讀寫的速度也更快，能夠整合至高性能的邏輯IC之中，進一步實現下世代的處理器晶片 |
