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意法半導體新款功率MOSFET實現更小、更環保的汽車電源 (2015.12.23) 意法半導體(STMicroelectronics;ST)針對汽車市場推出新系列高電壓N通道功率MOSFET。新產品通過AEC-Q101汽車測試認證,採用意法半導體內建快速恢復二極體的MDmesh DM2超接面製程,崩潰電壓範圍為400V至650V,可提供D2PAK、TO-220及TO-247三種封裝 |
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德州儀器推出NexFET N通道功率MOSFET實現低電阻功效 (2015.01.22) 採用5公釐x 6公釐QFN封裝並具極低Rdson的25 V和30 V裝置
德州儀器(TI)推出NexFET產品線的11款新型N通道功率MOSFET,包括擁有低導通電阻(Rdson)且採用QFN封裝的 25 V CSD16570Q5B和30 V CSD17570Q5B,其適合熱插拔和ORing應用 |
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