CTIMES - Tsv

三星發表12層3D-TSV封裝技術將量產24GB記憶體 (2019.10.07)
三星電子今日宣布，已開發出業界首個12層的3D-TSV（Through Silicon Via）技術。此技術透過精確的定位，把12個DRAM晶片以超過6萬個以上的TSV孔，進行3D的垂直互連，且厚度只有頭髮的二十分之一

Diodes推出提供 USB 3.1/3.2 及 Thunderbolt 3 介面保護的小型 TVS (2018.02.23)
Diodes 公司推出資料傳輸線瞬態電壓抑制器 (TVS) DESD3V3Z1BCSF-7，此產品適用於搭載差分訊號線路、時脈 5 Ghz 以上的先進系統單晶片，可為 I/O 埠提供優異的 TVS/ESD 保護，是 USB 3.1/3.2、Thunderbolt 3、PCI Express 3.0/4.0、HDMI 2.0a 及 DisplayPort 1.4 等高速介面不可或缺的元件

布魯爾科技推出暫時性貼合/剝離（TB/DB）產品 (2017.05.02)
1.在以TSV、3D-IC與散出型晶圓級封裝 (FOWLP) 製造 2.5D 中介層時，暫時性貼合 (TB) 與剝離扮演了什麼樣的角色？其重要性為何？暫時性貼合材料最關鍵的要求為何？暫時性貼合/剝離 (TB/DB) 是薄晶圓處理技術中相當關鍵的一種兩部分製程步驟，該技術已用於許多先進的封裝應用中

高生產／晶圓保護能力應材力推電化學沉積系統 (2017.03.16)
為滿足晶圓級封裝（WLP）產業日益增多的行動及高效運算應用的需求，應用材料推出Nokota電化學沉積（Electrochemical Deposition,，ECD）系統。利用此一系統，晶片製造商及委外封測（OSAT）業者將可透過低成本、高效率的方式，使用不同的晶圓級封裝技術，包括凸塊／柱狀、扇出、矽穿孔（TSV）等

提升VVC性能 Reno力推EVC匹配網路 (2016.09.12)
為了滿足14nm（奈米）以下的先進製程製造需求，半導體製造用高性能射頻匹配網路、射頻電源產生器和流量管理系統開發商Reno Sub-Systems推出了EVC（電子式可變電容）匹配網路，新式系統改善了傳統的VVC（真空可變電容）性能

電接枝技術助益3D TSV製程 (2016.07.28)
金屬沉積是成功的TSV性能的關鍵製程之一。在TSV的常規金屬沉積製程中，阻障和晶種步驟使用的是傳統的自上而下的沉積製程，用來實現高深寬比TSV的金屬化時，可能會給傳統製程帶來一些挑戰

溼蝕刻製程降低TSV成本更易實現3D IC (2015.10.22)
TSV（矽穿孔）技術在3D IC中，可謂扮演相當吃重的角色，由於摩爾定律的關係，半導體製程的不斷突破，晶片業者不斷提升電晶體密度，同時又面臨晶片尺寸極為有限的情況下，水平面積畢竟還是有其極限，所以半導體業者們才從垂直方向下手，以整合更多的電晶體，進一步提升晶片整體效能

東芝16顆粒堆疊式NAND快閃記憶體搭載TSV技術 (2015.08.07)
東芝公司（Toshiba）宣布研發出運用矽穿孔（TSV）技術的16顆粒（最大）堆疊式NAND快閃記憶體。東芝將於8月11~13日在美國聖克拉拉舉行的2015年快閃記憶體高峰會（Flash Memory Summit 2015）上展示其原型

集各家技術大成 Fiji繪圖處理器正式亮相 (2015.06.23)
先前AMD在今年的COMPUTEX的國際記者會所展示的兩大產品線，一為第六代的A系列處理器，另一款重大產品則為搭載HBM技術的獨立繪圖處理器，只是在當時，自AMD執行長蘇姿丰博士甚至是相關部門的高階主管，皆未對該款繪圖處理器透露太多的技術細節

因應物聯網挑戰 KLA-Tencor鎖定封裝量測技術 (2015.05.12)
相信大家都知道，晶圓代工龍頭台積電董事長張忠謀曾經對於物聯網應用保持極為看好的態度，也聲明了台積電不會在物聯網市場缺席。張忠謀的聲明，似乎也影響到半導體設備業者們的解決方案布局，半導體設備業者KLA-Tencor在向台灣媒體發表解決方案前，同樣提及了物聯網與智慧型手機對於整個市場擁有一定的向上帶動效果在

Ziptronix授權索尼DBI混合接合專利技術 (2015.04.02)
三維積體電路低溫直接接合專利技術開發商和供應商Ziptronix公司宣佈與索尼公司簽署了用於先進圖像感測器應用的專利授權合約。該協議標誌著針對量產的Ziptronix混合接合專利將被持續的採用

積層式3D IC面世台灣半導體競爭力再提升 (2014.01.07)
在IEDM（國際電子元件會議）2013中，諸多半導體大廠都透過此一場合發表自家最新的研究進度，產業界都在關注各大廠的先進製程的最新進度。然而，值得注意的是，此次IEDM大會將我國國家實驗研究院的研究成果選為公開宣傳資料，據了解，獲選機率僅有1/100，而該研究成果也引發國內外半導體大廠與媒體的注意

從3D IC/TSV的不同名詞看3D IC技術(上) (2010.04.19)
目前，3D-IC定義並不相同，有人認為只要將一顆 die 放在一個substrate 上就是 3D integration，這似乎與將Chip 放在PCB上面沒有兩樣，這樣的PCB也可以稱之為3D integration，所以頂多稱之為3D Package

合縱連橫的3D IC國際研究趨勢（上） (2009.11.03)
3D IC的研發工作是一件龐大的整合工作，加上其異質整合的特性，初期研發不是一間公司所能負擔的起。目前，從亞洲到歐洲及美國都成立了一些研發聯盟來推動3D IC的研發工作

3D IC應用市場核心技術TSV的概況與未來 (2009.08.31)
3D IC是否可以成為應用主流，矽通孔（Through Silicon Vias；TSV）技術是一個關鍵。TSV製程的成熟，將會主導3維晶片的應用市場，未來可以用來整合IC、邏輯晶片、RF、CMOS影像感應器與微機電系統

專訪:Aviza業務行銷副總裁David Butler (2008.10.09)
為了縮短SoC單晶片技術過於攏長的研發時程，並符合目前消費性電子輕薄短小且多功能的產品需求，市場開始尋求新一代的晶片整合技術，來因應越來越嚴峻的消費性市場挑戰，其中3D IC便是目前最受關注的技術之一

驅動下一代IC：SiP的新興技術-TSV (2008.08.12)
半導體晶片面臨尺寸越做越小，但效能卻要更加提升的強大壓力，在此同時，每一個package在體積縮小下，卻要能容納夠多的功能在裡面。在消費性電子市場成長驅動下，諸如以矽為渠道的3D IC或者TSV等Packaging 技術之創新也更加快速且重要

SEMICON Taiwan 2008即日起開放報名 (2008.07.25)
SEMICON Taiwan 2008(國際半導體設備材料展)即將於9月9-11日展開，展期間將舉行8場產業趨勢與技術論壇。其中，在9月10日的CTO論壇中，主辦單位SEMI(國際半導體設備材料產業協會)特別邀請日月光集團研發中心總經理唐和明博士、無線科技大廠Qualcomm副總經理Mr