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典故		 電子工業改革與創新者 - IEEE

IEEE的創立，是在於主導電子學的地位、促進電子學的創新，與提供會員實質上的協助。
SiGe PNP HBT基極摻雜工程技術 (2007.01.05)
SiGe:C npn電晶體異質接面雙極性晶體管（HBT）是 BiCMOS IC 中針對高速類比和混合訊號應用的核心技術。而高速互補技術要求pnp與npn HBT具有相似的性能。由於n 型 SiGe 基極摻雜工程技術目前仍是一項挑戰，針對此挑戰本文提出了使用標準和原子層摻雜（ALD）技術的摻雜工程技術概論

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