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科技
典故 |
第一顆電晶體(Transistor)的由來
第二次世界大戰末期，貝爾實驗室開始一項研究計畫，目標是研發出一種體積更小、功能更強大、更快速且可靠的裝置來取代真空管。1947年12月23日，由貝爾實驗室研發的電晶體取代了真空管，優點是體積更小、更可靠、且成本低廉，不僅孕育了今日遍及全球的電子半導體產業，同時也促成電訊電腦業、醫學、太空探測等領域產生戲劇性的改變。
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英飛凌70奈米DRAM溝槽式技術有突破性發展 (2004.12.15)
在舊金山舉辦的IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)會議中，英飛凌科技公司發表了一種使用在未來DRAM世代的可量產化之70奈米製程技術，採用300mm晶圓的深度溝槽(deep trench, DT)單元之方式 |
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