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默克於韓國安城揭幕旋塗式介電材料應用中心 深化下一代晶片技術支持 (2024.10.24)
默克，正式宣布在韓國安城揭幕最先進的旋塗式介電材料（Spin-on-Dielectric, SOD）應用實驗室。為因應半導體產業中人工智慧蓬勃發展的趨勢，該應用中心將加速開發用於先進記憶體和邏輯晶片的SOD材料 |
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延續摩爾定律 默克大力研發創新半導體材料 (2016.09.14)
摩爾定律正面臨技術瓶頸，半導體業者微縮製程日益困難，先進的封裝技術日益重要。看準此一機會，先進半導體材料供應商Merck（默克）近年來積極研發先進製程材料，且大舉併購了AZ Electronic Materials（安智電子材料）、SAFC Hitech（賽孚思科技），以及Ormet Circuits，以提供客戶更完整的解決方案 |
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ASM研發提升45nm High-k製程1倍產量的ALD技術 (2009.02.09)
ASM日前宣佈，其已成功開發出一種高速原子層沈積製程，能夠為45nm high-K 閘極製程提升一倍氧化鉿(HfO2) 薄膜的產量，進而延伸在關鍵原子層沉積(ALD)市場的領導地位。
新的高速ALD製程是專門設計在ASM的Pulsar製程模組上運作，並可使用既有的反應爐設備設計透過專利的製程最適化技術達成產能的提升 |
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ASM和SAFC簽訂認證製造廠商與合作協定 (2009.01.16)
ASM International N.V.和 Sigma-Aldrich子公司SAFC旗下的SAFC Hitech宣布針對進階超介電常數絕緣層(advanced Ultra High-k insulators)之特定原子層沉積(ALD)原料簽訂認證製造廠商與合作協定。 該協定提供化學原料之認證標準、特定ASM ALD 專利之授權許可，以及針對這些化學原料的行銷與進階開發合作關係 |
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ASM提出新技術解決high k與金屬柵的挑戰 (2008.05.22)
ASM推出一個全新的原子層沈積（ALD）製程。該製程採用氧化鑭（LaOx）及氧化鋁（AlOx）高介電值覆蓋層，使得32納米high k金屬閘極堆疊採用單一金屬，而不是之前CMOS所需要的兩種不同的金屬 |
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半導體薄膜沉積市場復甦 (2002.07.24)
綜合外電消息，整體薄膜沉積市場正如預期般復甦中，特別是新興市場ALD（Atomic Layer Deposition；原子層沉積）最為顯著。
根據Information Network指出，由於去年半導體產業景氣低迷，連帶使整體薄膜沉積設備市場僅達到34億美元，整整衰退了46.1％，預計今年將有4％的成長率，整體市場可望成展至36億美元 |
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台灣應用材料推出原子層沉積技術 (2001.10.24)
應用材料公司宣佈推出第一套「原子層沉積」（ALD：Atomic Layer Deposition）反應室，可在低溫度範圍下沉積薄而均勻的純淨薄膜；原子層沉積反應室能同時支援多種薄膜材料，包括金屬與介電質薄膜 |
高度整合的晶片組不過是這幾年才發生的事，如果說CPU是電腦的腦部，Chipsets就可算是電腦的心臟了。
