CTIMES - Cvd

默克於韓國安城揭幕旋塗式介電材料應用中心深化下一代晶片技術支持 (2024.10.24)
默克，正式宣布在韓國安城揭幕最先進的旋塗式介電材料（Spin-on-Dielectric, SOD）應用實驗室。為因應半導體產業中人工智慧蓬勃發展的趨勢，該應用中心將加速開發用於先進記憶體和邏輯晶片的SOD材料

延續摩爾定律默克大力研發創新半導體材料 (2016.09.14)
摩爾定律正面臨技術瓶頸，半導體業者微縮製程日益困難，先進的封裝技術日益重要。看準此一機會，先進半導體材料供應商Merck（默克）近年來積極研發先進製程材料，且大舉併購了AZ Electronic Materials（安智電子材料）、SAFC Hitech（賽孚思科技），以及Ormet Circuits，以提供客戶更完整的解決方案

Voltaix獲得Intel Capital的1250萬美元投資 (2008.07.31)
提高半導體晶片和太陽能電池性能的材料供應商Voltaix宣布，已經從Intel旗下的全球投資部門Intel Capital獲得1250萬美元的投資。這項投資將加速該公司製造能力的擴張。Voltaix製造整合電路晶圓廠的前段半導體製程所用的電子化學品和氣體

百克拉超級人造鑽石可能成真 (2006.07.11)
根據經濟日報消息，中央研究院院士毛河光利用高壓技術讓「沼氣變鑽石」，希望在兩年內研發生產一百克拉的人工鑽石。毛河光表示，我們正處在鑽石科技大革命的尖端，比拳頭還大的鑽石可能成真

應材CVD系統廣受全球12吋晶圓廠採用 (2004.08.04)
國際半導體設備大廠應用材料宣布該公司Applied Producer化學氣相沉積（CVD）系統已出貨超過750套，這些客戶並採用其黑鑽石低介電常數（Black Diamond low dielectric）技術來進行沉積作業

應用材料新式CVD技術適用65奈米以下製程 (2004.07.29)
半導體設備大廠應用材料宣布推出應用於65奈米及以下製程的化學氣相沉積（CVD）技術Producer HARP（high aspect ratio process；高縱深比填溝製程）系統；該系統技符合淺溝隔離層（Shallow Trench Isolation；STI）和前金屬介質沉積（Pre-Metal Dielectric；PMD）等製程設備所需之大於7:1高縱深比的填溝技術條件

半導體薄膜沉積市場復甦 (2002.07.24)
綜合外電消息，整體薄膜沉積市場正如預期般復甦中，特別是新興市場ALD（Atomic Layer Deposition；原子層沉積）最為顯著。根據Information Network指出，由於去年半導體產業景氣低迷，連帶使整體薄膜沉積設備市場僅達到34億美元，整整衰退了46.1％，預計今年將有4％的成長率，整體市場可望成展至36億美元

台積電完成0.13微米銅製程產 (2000.07.18)
台積電內部透露，已利用4Mb SRAM為載具，成功完成各項製程設備的0.13微米銅製程試產，包括CVD、FSG與Spin On等3種不同的製程方式，良率都已達高水準。由於各項製程數據正在最後收集階段，待完整的數據彙整後，台積電將於近期正式對外宣佈

淺談Audio壓縮技術發展現況 (2000.04.01)
參考資料：