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TI推出最新GaN技術 攜手台達打造高效能伺服器電源供應器 (2021.09.26)
德州儀器（TI）宣佈，其氮化鎵（GaN）技術和 C2000 即時微控制器（MCU），輔以台達的電力電子核心技術，為資料中心開發設計高效、高功率的企業用伺服器電源供應器（PSU） |
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意法半導體推出單晶片 GaN 閘極驅動器 (2021.09.10)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）新推出STDRIVEG600半橋閘極驅動器輸出電流大，上下橋輸出訊號傳播延遲為45ns，能夠驅動GaN加強型 FET 高頻開關。
STDRIVEG600的驅動電源電壓最高20V，還適用於驅動N溝道矽基MOSFET，在驅動GaN元件時，可以靈活地施加最高6V閘極－源極電壓（Gate-Source Voltage；VGS），確保導通電阻Rds(on)保持在較低水準 |
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英飛凌攜手Panasonic 共同加速650 V GaN功率裝置技術發展 (2021.09.06)
英飛凌科技和 Panasonic 公司，已針對共同開發及生產第二代 (Gen2) 氮化鎵 (GaN) 技術簽訂合約，基於已獲認可接受的GaN技術，Gen2技術將提供更高效率和功率密度水準。
為了因應市場需求，Gen2 將會開發為 650 V GaN HEMT |
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聯華電子與頎邦科技 經股份交換建立策略合作關係 (2021.09.06)
聯華電子、宏誠創投(聯電持股100%子公司)及頎邦科技董事會今日分別通過股份交換案，聯華電子及頎邦科技兩家公司將建立長期策略合作關係。
聯電以先進製程技術提供晶圓製造服務，為IC產業各項應用產品生產晶片，並且持續推出尖端製程技術及完整的解決方案，以符合客戶的晶片設計需求，所提供方案橫跨14奈米到0 |
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新能源車需求助攻 2025年GaN功率元件年CAGR達78% (2021.09.05)
TrendForce表示，2021年隨著各國於5G通訊、消費性電子、工業能源轉換及新能源車等需求拉升，驅使如基地台、能源轉換器（Converter）及充電樁等應用需求大增，使得第三代半導體GaN及SiC元件及模組需求強勁 |
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盛美發佈首台晶圓級封裝和電鍍應用電鍍設備 (2021.08.31)
盛美半導體設備發佈了新產品—Ultra ECP GIII電鍍設備，以支援化合物半導體(SiC, GaN)和砷化鎵(GaAs) 晶圓級封裝。該系列設備還能將金（Au）鍍到背面深孔制程中，具有更好的均勻性和臺階覆蓋率 |
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拓展碳化矽實力 安森美將收購GT Advanced (2021.08.26)
安森美(onsemi)和碳化矽 (SiC) 生產商GT Advanced Technologies (「GTAT」) 於美國時間8月25日宣佈已達成最終協定，根據該協定，安森美將以4.15億美元現金收購GTAT。
GTAT 成立於 1994 年，在包括 SiC 在內的晶體成長方面擁有豐富的經驗 |
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邊緣運算推升伺服器需求 英飛凌讓電源供應器更小更有效率 (2021.08.15)
全球的數據量正在加速爆走中，尤其是物聯網和邊緣運算應用被逐步導入市場之後，各種機器與設備的資料和數據，就日夜不停地被記錄與傳送到雲端資料中心與伺服器之中，直接推升了各個領域對於伺服器的建置需求 |
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意法半導體製造首批8吋碳化矽晶圓 (2021.08.13)
意法半導體（STMicroelectronics）宣布，ST瑞典Norrkoping工廠製造出首批8吋（200mm）碳化矽（SiC）晶圓，這些晶圓將用於生產下一代功率電子晶片產品原型。將SiC晶圓升級到8吋代表著ST針對汽車和工業客戶的擴產計畫獲得重要階段性的成功 |
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科銳攜手邁凌科技 實現新型超寬頻5G技術 (2021.07.14)
科銳 (Cree, Inc.,)宣佈，與美商邁凌科技(MaxLinea)成功合作，結合科銳 Wolfspeed碳化矽基氮化鎵(GaN-on-SiC)中頻功率放大器，和美商邁凌科技超寬頻線性化解決方案(MaxLin)，增加了 5G 基地台的無線容量，可支援更多人同時使用，並且提高了資料傳輸速度 |
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恩智浦將氮化鎵應用於5G多晶片模組 (2021.07.07)
降低能源消耗（energy consumption）為電信基礎設施的主要目標之一，其中每一點效率都至關重要。在多晶片模組中使用氮化鎵可在2.6 GHz頻率下將產品組合效率提高至 52%，比公司上一代模組高出8% |
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ST車規GaN產品新系列 整合車載充電器、自駕LiDAR等智慧電路 (2021.05.26)
意法半導體（ST）推出了 STi2GaN系列智慧整合氮化鎵（GaN）解決方案。STi2GaN在高功率配置的高性能解決方案內整合功率級和智慧電路，滿足汽車電動化趨勢下的創新需求。
透過意法半導體於車用電子應用研發的豐富經驗、在智慧功率技術、寬能隙半導體材料和封裝技術的優勢和創新成果 |
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PI推新款GaN返馳式切換開關IC 用於超小型行動充電器 (2021.05.25)
節能型電源轉換高壓IC大廠Power Integrations（PI）今日宣佈推出InnoSwitch 4-CZ系列的高頻率、零電壓切換(ZVS)返馳式切換開關IC。InnoSwitch4-CZ裝置結合了採用Power Integrations PowiGaN技術的750V主開關和高頻主動箝位返馳式控制器，適用於手機、平板電腦和筆記型電腦的超小型充電器 |
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是德推出客製化GaN測試板 加速動態功率元件分析儀效率 (2021.05.11)
網路連接與安全創新技術商是德科技（Keysight Technologies Inc. ）宣布推出客製化氮化鎵（GaN）測試板，適用於是德科技旗下的動態功率元件分析儀/雙脈衝測試儀（PD1500A），可協助供應商和OEM功率轉換器設計人員，縮短原型開發週期，並加快讓新產品問市 |
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英飛凌發表 30 W- 500 W 功率級應用的 CoolGaN IPS 系列產品 (2021.05.06)
採用氮化鎵 (GaN) 這類寬能隙 (WBG) 材料製成的功率開關憑藉其優異效率及高速切換頻率，開啟了功率電子的新時代。因應此一發展，英飛凌科技推出整合功率級 (IPS) 產品 CoolGaN IPS 系列，成為旗下眾多 WBG 功率元件組合的最新產品 |
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ST推新款MasterGaN4元件 實現高達200W功率轉換 (2021.04.29)
半導體供應商意法半導體（ST）推出新MasterGaN4，其功率封裝整合了兩個對稱的225mΩ RDS(on)、650V氮化鎵（GaN）功率電晶體，以及優化的閘極驅動器和電路保護功能，可以簡化高達200W的高效能電源轉換應用設計 |
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先進半導體產業技術及發展應用研討會 (2021.04.22)
即日起網路報名至4月16日(四)止，額滿截止，逾期恕不受理現場報名；本研討會開放免費報名。 |
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ROHM研發出150V GaN獨創結構 將閘極耐壓提升至8V (2021.04.14)
半導體製造商ROHM針對工控裝置和通訊裝置等電源電路，將150V GaN HEMT（GaN元件）的閘極耐壓（閘極-源極額定電壓）提升至8V。
近年來，在伺服器系統等設備中，由於IoT裝置的需求日益增長，功率轉換效率的提升和裝置小型化已成為開發重點 |
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TrendForce：第三代半導體成長強勁 GaN產值年增90.6% (2021.03.11)
根據TrendForce調查，2018至2020年第三代半導體產業陸續受到中美貿易摩擦、疫情等影響，整體市場成長動力不足致使年增率持續受到壓抑。然受惠於車用、工業與通訊需求挹注，2021年第三代半導體成長動能有望高速回升 |
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英飛凌推出全新CoolGaN產品 大幅提升5G通訊設施的電源效率 (2021.03.11)
數位化持續加速，新冠疫情更加催化了線上協作的積極發展，使得最先進的高效能通訊基礎架構更顯重要。為了滿足與該應用的相關需求，英飛凌科技推出CoolGaN產品，助力通訊電源供應系統提供極致效率與可靠度 |
