CTIMES - Nand

Altera FPGA架構儲存設計可延長NAND快閃記憶體使用壽命 (2015.07.03)
Altera公司開發採用其Arria 10 SoC架構的儲存參考設計，與目前的NAND快閃記憶體相比，NAND快閃記憶體的使用壽命將加倍，程式擦除週期數增加了7倍。參考設計在經過最佳化的高性能價格比單晶片解決方案中，包括一顆Arria 10 SoC和整合雙核心ARM Cortex A9處理器，同時採用了Mobiveil的固態硬碟（SSD）控制器，以及NVMdurance的NAND最佳化軟體

TDK推出支持串行ATA 6Gbps的高可靠性固態硬碟SDS1B系列 (2015.05.11)
（日本東京訊）TDK株式會社將於2015年8月開始發售搭載有可支持串行ATA 6Gbps的NAND型快閃記憶體控制IC GBDriver GS1的2.5inch型工業用固態硬碟SDS1B系列產品。近年來，以OS的高容量化及4K、8K全高畫質數位播放為代表的高畫質大容量數據的儲存等都逐漸要求儲存器實現高速、大容量的用途

Intel蟬聯半導體冠軍營收創十年新高 (2012.03.27)
拜強勁的核心晶片銷售所賜，以及併購策略奏效，Intel在2011年全球半導體營收市占率攀升至15.6%，相較2010年的13.1%成長了2.5%，不僅創下了10年來的最高紀錄，也順利地再度蟬聯全球半導體營收冠軍

可取代NAND快閃的新記憶體技術問世 (2010.05.20)
Unity半導體公司不斷致力於新記憶體技術的開發，不久前該公司宣佈成功開發一種可取代NAND Flash的新記憶體技術，相信不久以後，NAND Flash為記憶卡和固態硬碟唯一解決方案的局面將出現大幅改變

CES 2010：G世代NAND拉抬USB3.0話題熱 (2010.01.06)
NAND快閃記憶體的主流製程將在今年達到40奈米以下，這項新製程將讓NAND晶片讀寫速度提高1倍，正式跨入G世代，也讓NAND業者全力支持USB3.0發展，包括三星、東芝、英特爾等業者，都於CES展中宣示跨入USB3.0世代

恆憶推出新系列NAND快閃記憶體 (2008.12.22)
恆憶（Numonyx）針對無線通訊、嵌入式設計和資料儲存應用推出新系列NAND快閃記憶體產品，持續為業界提供完整的 NOR、NAND、RAM和PCM（相變化記憶體）解決方案。新系列產品包括高達32Gb（gigabits）的MLC NAND、32GB（gigabytes）的eMMC和高達8 GB的microSD產品，均採用先進的41奈米製程

惠瑞捷推出V6000快閃記憶體及DRAM測試系統 (2008.11.28)
惠瑞捷(Verigy) 宣佈推出V6000測試系統，可在同一套自動化測試設備 (ATE) 機台上，測試快閃和DRAM記憶體，測試成本低於現有的解決方案。多功能的V6000可調整適用於半導體記憶體的各個測試階段，包括工程測試、晶圓測試 (Wafer Sort)、以及終程測試 (Final Test) 等

Numonyx暫緩義大利Catania 12吋廠計畫 (2008.11.18)
外電消息報導，非揮發性記憶體供應商恆憶(Numonyx)日前表示，由於受全球經濟成長趨緩的影響，原訂在義大利Catania興建12吋晶圓廠的計劃將暫緩實施，最快要到2010年以後才會定案

Spansion推出高性能NAND快閃記憶體生產計畫 (2008.09.15)
純快閃記憶體解決方案供應商Spansion公佈了即將推出的MirrorBit ORNAND2產品系列生產計畫，該系列產品的寫入速度可提高25%，讀取速度最高可提升一倍，其裸片尺寸也比目前的浮動閘門NAND快閃記憶體明顯減小

海力士打造清州廠為全球第一大NAND記憶體工廠 (2008.09.04)
海力士半導體位於韓國清州市、支援300mm（12吋）晶圓的新製造生產線M11落成，海力士並邀請當地政府官員等舉行完工典禮。據了解，M11將採用40nm製程，用於生產16Gbit及32Gbit等高密度NAND快閃記憶體

海力士清洲新NAND記憶體廠正式投產 (2008.08.31)
外電消息報導，韓國記憶體晶片製造商海力士（Hynix）日前表示，其在韓國清洲新建的新一代NAND快閃記憶體廠將正式投產，預計月產能將達到30萬片。 Hynix表示，新的清州記憶體廠，預計月產量將可達到30萬片，而依據進度來看，將有望在幾個月之後，把產能提高到50萬片左右

恆憶與海力士將延長5年NAND Flash合作計畫 (2008.08.19)
恆憶（Numonyx B.V.）和海力士半導體（Hynix Semiconductor）日前宣佈，將延長兩公司在NAND快閃記憶體升級產品和技術開發的合作計劃。據了解，兩公司未來將擴大NAND快閃記憶體產品和技術的合作開發範圍，並將為加快開發速度而進行經營資源的一體化

TDK推出兼容U.DMA6的NAND Flash控制器 (2008.08.11)
TDK宣佈開發出GBDriver RA8系列NAND快閃記憶體控制器，該產品計劃於九月份開始銷售。 GBDriver RA8系列是用於U.DMA6的高速NAND控制器IC。該控制器支援單級單元（SLC）和多級單元（MLC）NAND快閃記憶體，實現了從128M字節到16G字節（SLC），和256M字節到32G字節（MLC）的高速快閃記憶體儲存容量

美光將大舉進軍SSD市場 (2008.06.11)
美光科技（Micron）將大舉進軍SSD市場。據了解，美光在台灣舉辦記憶體日（Memory Day），除了宣佈將以34奈米生產高良率32Gb NAND快閃記憶體，也將大舉進軍32GB到128GB高容量固態硬碟（SSD）市場，而預計SSD將是未來NAND快閃記憶體的最大市場

美光Memory Day 揭露NADA發展藍圖 (2008.06.11)
記憶體領導廠美光（Micron）10日在台舉行的「Memory Day」上表示，將持續在NAND記憶體製程上取得領先地位，除了提供目前已量產的50奈米產品外，並預計在今年第4季時，把34奈米製程的高容量NAND記憶體晶片推向市場

Numonyx現身Computex 鎖定台灣嵌入式市場 (2008.06.04)
充滿話題性的恆憶(Numonyx)記憶體公司也在今年的Computex展上現身，除了正式向台灣宣布其成立消息外，同時也點明其在台灣的業務策略。未來Numonyx將主攻嵌入式應用市場，積極進入有線通訊業、汽車業、消費電子產業、製造業及電腦資訊業等領域

東芝將以硬碟經驗發展多層NAND型SSD (2008.05.12)
東芝表示，未來將以多層化技術著手開發NAND型SSD固態硬碟。據了解，東芝社長西田厚聰在東京2008年度經營方針說明會上做了以上的表示。此外，在筆記型電腦市場上，將努力在2010～2011年獲得50％的市佔率

Spansion力推MirrorBit ORNAND2架構開發計劃 (2008.04.24)
Spansion宣布在義大利米蘭設立其安全及先進技術事業部（Security and Advanced Technology Division；SATD）總部，以強化MirrorBit ORNAND2架構及安全產品策略的開發計劃。該部門將負責Spansion各種不同快閃記憶體安全解決方案的開發工作，並將MirrorBit技術拓展到目前NAND所服務的應用領域

iSuppli：NAND銷售成長率由27％調降至9％ (2008.04.08)
次貸風暴對全球經濟以及消費者影響甚鉅，消費電子市場也深受影響，消費需求量持續減緩，市調公司iSuppli也因此調降了2008年全球NAND快閃記憶體銷售成長率的預估值。 NAND在2007年銷售額為139億美元，iSuppli預估2008年NAND銷售額可達152億美元，成長率為9％，遠低於原本估計的179億美元，27％的成長率

大廠合資加持恆憶進軍記憶體市場 (2008.04.02)
恆憶(Numonyx B.V.)宣佈正式成為一家獨立的半導體公司，其業務著重於NOR、NAND和RAM記憶體技術，以及最新的相變記憶體(PCM)技術，提供創新的記憶體解決方案。這家新公司將提供服務給生產各種包括行動電話、MP3播放器、數位相機、超級行動電腦(ultra-mobile computers)和其他高科技設備等各種消費性及工業電子產品的客戶