海力士半導體位於韓國清州市、支援300mm（12吋）晶圓的新製造生產線M11落成，海力士並邀請當地政府官員等舉行完工典禮。

據了解，M11將採用40nm製程，用於生產16Gbit及32Gbit等高密度NAND快閃記憶體。目前預定將在2008年9月開始投產，初期月產量約4萬片，未來將根據市場需求增加產量，最高將達每月20萬片。

M11為海力士清州廠的第三生產線，海力士指出，新生產線的優勢在於可利用現有廠房設備及人員。目前海力士正整合全球的200mm晶圓廠，清州廠的生產線也將成為整合對象。海力士希望以M11的完工為起點，將清州廠建成全球第一大NAND快閃記憶體廠。