CTIMES - Mosfet

TI：大電流小體積是MOSFET發展終極趨勢 (2010.01.13)
德州儀器（TI）針對高電流DC/DC應用，推出業界第一個透過封裝頂部散熱的標準尺寸功率 MOSFET 產品系列。DualCool NexFET功率MOSFET有助於縮小終端設備的尺寸，同時還可將通過MOSFET的電流提高50％

Diodes針對VoIP應用發表新型MOSFET元件 (2009.12.05)
Diodes公司於週三（11/2）宣佈，推出了兩款新型的N通道MOSFET元件，該公司表示，此款產品將能為VoIP 通訊設備的設計帶來更堅固，且能大幅簡化電路和成本的解決方案。其全新的ZXMN15A27K及ZXMN20B28K元件，針對多類型不同的VoIP應用而特別設計，滿足基於變壓器的用戶線路介面電路DC/DC轉換器對基本切換位置的嚴格要求

ADI推出全新的高速18伏特MOSFET驅動器家族 (2009.11.17)
美商亞德諾公司（ADI）於週一（11/16）宣佈，推出全新的高速18伏特 MOSFET驅動器家族，能提供2A 與4A 的峰值電流。其具有14ns至35ns（毫微秒）的最低傳播延遲以及10ns至25ns的邊緣上升 / 下降時間

IR推出基準工業級30V MOSFET (2009.08.27)
國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）推出一系列工業認可的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET ，為不斷電系統（UPS）反相器、低電壓電動工具、ORing應用，以及網路通訊和伺服器電源等應用，提供非常低的閘電荷（Qg）

IR 150V和200V MOSFET可提供非常低閘電荷 (2009.08.19)
國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，為包括開關模式電源（SMPS）、不斷電系統（UPS）、反相器以及DC馬達驅動器等工業應用，提供非常低的閘電荷（Qg）

IR新款DirectFET MOSFET提供超低導通電阻 (2009.08.13)
國際整流器公司（IR）推出IRF6718 DirectFET MOSFET。這款新型的25V元件提供業界最低的導通電阻（RDS(on)），並且針對動態ORing、熱切換及電子保險絲等DC開關應用作出了最佳化

Diodes新型MOSFET元件專攻LED背光應用 (2009.08.12)
Diodes公司推出15款針對LCD電視和監視器背光應用的新型MOSFET元件，進一步擴展其多樣化的MOSFET 產品系列。新元件採用業界標準的TO252和SO8封裝，具有高功率處理能力和快速開關功能，滿足高效率CCFL驅動器架構的要求

Diodes推出新型雙MOSFET組合式元件 (2009.07.07)
Diodes公司近日推出了新型的ZXMC10A816元件，它把一對互補性的100V增強式MOSFET結合於一個SO8封裝，性能可以媲美體積更大的個別封裝零件。ZXMC10A816適用於H橋電路，應用範圍包括DC散熱扇和反相器電路、D類放大器輸出級，以及其他多種類型的48V應用

Diodes推出新型MOSFET H橋元件 (2009.07.02)
Diodes公司推出四款H橋MOSFET封裝，為空間有限的應用減少元件數量和PCB尺寸，顯著簡化DC散熱扇和CCFL反相器電路的設計。 Diodes亞太區技術市場總監梁後權指出，ZXMHC零件採用SO8封裝，設有兩對互補型N和P通道MOSFET，可以取代四個分立的SOT23封裝MOSFET或兩個SO8互補型MOSFET封裝

英飛凌推出下一代 CoolMOS MOSFET (2009.06.29)
英飛凌科技宣佈推出下一代 600V CoolMOS C6 系列高效能MOSFET。 600V CoolMOS C6 系列產品上市後，將可使功率因素校正 (PFC) 或脈寬調變級 (PWM stage) 等能源轉換應用更具節能效益。新的 C6 技術結合了最新超接面或補償裝置等多項優勢

IR推出增強型25V及30V MOSFET (2009.05.18)
國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）推出一系列新型的25V及30V N-通道溝道HEXFET功率MOSFET。它們針對同步降壓轉換器及電池保護增強了轉換效能，適用於消費者和網路方面的電腦運算應用

IR推出新型邏輯電平溝道MOSFET (2009.05.06)
國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）推出一系列新型邏輯電平閘極驅動溝道HEXFET功率MOSFET，它們具有基準通態電阻（RDS（on））及高封裝電流額定值，適用於高功率DC馬達和電動工具、工業用電池及電源應用

快捷薄型MicroFET MOSFET元件針對可攜式應用 (2009.04.29)
快捷半導體公司（Fairchild Semiconductor）針對可攜式應用的設計人員推出一款20V、體積為2mm x 2mm x 0.55mm的薄型MicroFET MOSFET元件，它具有業界最低的RDS(ON)。FDMA6023PZT是一款採用緊湊、薄型封裝的雙P通道MOSFET，能夠滿足可攜式設計的嚴苛要求，採用延長電池壽命的技術，實現更薄、更小的應用

IR新款SmartRectifier IC提升系統效率1.5% (2009.04.22)
國際整流器公司（IR) 擴展其SmartRectifier IC陣營，推出為AC-DC功率轉換器而設，適用於為高端LCD電視的IR1168。這款200V雙智慧型能二次側整流器驅動器IC，是為驅動在共振半橋式拓樸用作同步整流器（SR）的兩枚N-通道功率MOSFET而設計

AnalogicTech的限流負載開關可簡化Hot Swap管理 (2009.03.30)
針對行動消費性電子元件提供電源管理半導體之開發者Advanced Analogic Technologies Incorporated（簡稱AnalogicTech）日前針對高壓端負載開關應用推出新限流P通道MOSFET電源開關AAT4614

Diodes全新OR'ing控制器打造可靠共享電源系統 (2009.03.25)
Diodes公司近日推出了新型的動態OR'ing控制器晶片ZXGD3102，它能幫助共享式電源系統的設計人員以高效率的MOSFET來代替散熱阻擋二極管，進而在需要長期保持運行的電訊、伺服器和大型電腦主機應用中，實現更低溫的操作，同時減少維修的需要和提高可靠性

Fairchild新款MicroFET MOSFET可延長電池壽命 (2009.03.24)
快捷半導體（Fairchild Semiconductor）推出FDMA1024NZ和FDMA410NZ 雙N通道和單N通道MOSFET元件，可延長手機、電動牙刷和刮鬍刀等應用中的電池壽命。這兩款產品採用具有高熱效的2mm x 2mm x 0

Vishay發表新型20V P通道第三代MOSFET (2009.03.10)
Vishay發表採用其新型p通道TrenchFET第三代技術的首款元件，該20V p通道MOSFET採用SO-8封裝，具最低的導通電阻。新型Si7137DP具有1.9mΩ（在10V時）、2.5mΩ（在4.5V時）和3.9mΩ（在 2.5V時）的超低導通電阻

TI收購CICLON 拓展類比電源管理產品線 (2009.02.24)
德州儀器（TI）宣佈收購總部位於賓夕法尼亞州伯利恆的高頻率高效率電源管理半導體領導設計公司 CICLON半導體元件公司（CICLON Semiconductor Device Corporation）。透過此次收購，TI將進一步提升包括高功率計算與伺服器系統等在內的眾多終端設備設計的用電效率

NXP推出全新的綠色電源管理解決方案 (2009.02.09)
恩智浦半導體(NXP)推出一套全新的電源管理解決方案，可有效減少市場上桌上型電腦和筆記型電腦的功耗。GreenChip PFC晶片、GreenChip同步整流控制器和一系列LFEPAK封裝的30V功率MOSFET元件產品組合將於美國華盛頓的應用電源電子大會（APEC）發表