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CTIMES / Nano
科技
典故		 第一颗晶体管(Transistor)的由来

第二次世界大战末期，贝尔实验室开始一项研究计划，目标是研发出一种体积更小、功能更强大、更快速且可靠的装置来取代真空管。1947年12月23日，由贝尔实验室研发的晶体管取代了真空管，优点是体积更小、更可靠、且成本低廉，不仅孕育了今日遍及全球的电子半导体产业，同时也促成电讯计算机业、医学、太空探测等领域产生戏剧性的改变。
美国宾州大学完成高密度FeRAM技术研究成果 (2007.10.24)
美国宾夕法尼亚大学结合化学以及机械工程的教授团队，近期在奈米多尺度力学领域的研究有了重要的突破。10月中他们宣布完成了铁电域壁（domain walls，亦称畴壁）的多尺度模型（multi-scale modeling），并提出新的铁电域壁移动理论，他们发现藉由可滑移的壁，能够分隔铁电域壁的扇区，藉由这项技术将可实现高密度的铁电内存
日立万胜研发出堆栈容积光电储存技术SVOD (2006.04.21)
根据日经BP社报导，日立万胜（Hitachi Maxell）日前成功开发出新型堆栈容积光电储存技术SVOD（Stacked Volumetric Optical Discs），使用仅仅92微米厚度的薄膜状光盘，却能大大提高单位体积的储存容量
解析微机电系统技术之应用与发展现况 (2003.04.05)
同属微小尺度科技的微机电系统（Micro-Electromechnical System；MEMS）技术与奈米技术，虽说在制程尺寸与实质内涵上有所差异，并不适合将之混为一谈，但因微机电技术可作为通往奈米科技研究的沟通桥梁，且已有多年的产业化基础，可说是产业界迈进奈米世界的开路前锋

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