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CTIMES / 功率晶片
科技
典故		 第一颗晶体管(Transistor)的由来

第二次世界大战末期，贝尔实验室开始一项研究计划，目标是研发出一种体积更小、功能更强大、更快速且可靠的装置来取代真空管。1947年12月23日，由贝尔实验室研发的晶体管取代了真空管，优点是体积更小、更可靠、且成本低廉，不仅孕育了今日遍及全球的电子半导体产业，同时也促成电讯计算机业、医学、太空探测等领域产生戏剧性的改变。
意法半导体推出一款全新高性能功率封装 (2010.05.11)
意法半导体（ST）于日前宣布，推出一款高性能功率封装，这项新技术提高该公司最新的MDmesh V功率MOSFET技术的功率密度。 此高度1mm的新型表面黏着封装，将TO-220工业标准芯片尺寸置于面积仅8x8mm的无针脚封装内，并具备裸露的金属汲极接垫，可有效排除内部产生的高温
ST全新评估平台可对模拟和功率芯片进行仿真 (2010.04.26)
意法半导体（ST）于日前宣布，已成功开发一个新的评估平台，可以仿真该公司之模拟和功率芯片。新的芯片评估平台，采用Cadence OrCAD PSpice软件仿真技术，对意法半导体的模拟和功率产品进行仿真
南茂策略转向 主力放于SOC后段封装测试 (2001.05.15)
为了回避业务过于集中在动态随机存取内存（DRAM）封装测试市场风险，南茂将趁着今年景气不好时进行策略转向，除了配合茂硅集团所需，仍维持部份DRAM、LCD驱动IC封测产能外，未来的发展主力将锁定在系统单芯片（SoC）的后段封装测试市场

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