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意法半导体先进半导体技术为未来行动网路基础设施奠定重要根基 (2015.08.04)
意法半导体基于BiCMOS的射频收发器可让行动网路回程线路数据速率高达10Gbps，同时提升毫米波段的频谱效率
意法半导体（STMicroelectronics，ST）的BiCMOS55 SiGe先进技术获欧洲E3NETWORK研发专案采用，用于开发适合下一代行动网路的高效率、高容量数据传输系统 |
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SiGe PNP HBT基极掺杂工程技术 (2007.01.05)
SiGe:C npn电晶体异质接面双极性晶体管（HBT）是 BiCMOS IC 中针对高速类比和混合讯号应用的核心技术。而高速互补技术要求pnp与npn HBT具有相似的性能。由于n 型 SiGe 基极掺杂工程技术目前仍是一项挑战，针对此挑战本文提出了使用标准和原子层掺杂（ALD）技术的掺杂工程技术概论 |
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BiCMOS制程提供放大器更高精确度 (2006.05.16)
美国国家半导体（NS）为供电电压介于0.9～12V之间的运算放大器开发了VIP50制程技术，VIP是垂直整合PNP制程技术的简称。VIP50制程技术是一种采用绝缘硅（SOI）的BiCMOS制程，其中采用的薄膜电阻不仅可以微调 |
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VIP50技术，提高放大器芯片效能 (2005.09.15)
美国国家半导体最近推出新制程技术VIP50，此项技术制造出来的芯片，可以让放大器过滤来源时更精准、更省电，用在地震侦测，能放大有用的震波，过滤不必要的噪声，而用在PDA或是其他携带式电子仪器，则可以更省电 |
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崇贸推出高度整合PWM控制芯片－SG6842 (2004.06.26)
致力于研发及生产电源管理IC芯片的崇贸科技，近期推出一款高整合度、高功能的波宽调变（PWM）控制芯片－SG6842，此芯片应用于一般交流/直流交换式电源供应器，符合系统工程师对于省电之要求，及降低产品设计成本之考虑 |
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跃入90奈米技术 Intel/台积电硅锗市场竞赛 (2002.09.13)
英特尔 （Intel）近日在开发者论坛（IDF）中表示，未来将把90奈米制程技术，纳入硅锗（SiGe）制程中，但是何种硅锗制程，英特尔并未详述。台积电曾于美国表示，将提供0.18微米制程的硅锗代工服务 |
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无线通信IC制程技术探微 (2002.09.05)
无线通信IC已成为半导体产业未来发展的重要支柱，年产量高达四亿支左右的手机市场更是目前各大半导体厂商关注的重点，本文将以无线通信射频IC的制程技术为探讨重点，藉以说明半导体制程技术在该领域的发展与趋势 |
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TI导入0.4微米CMOS制程 (2002.07.30)
TI（德州仪器）今年底计划发表0.4微米硅锗双载子CMOS之BiCom-III制程，该技术用于生产低噪声芯片，其产品速度比BiCMOS制程技术快上二倍。TI今年第三季进入最终验证阶段，年底将把该技术导入8吋晶圆制程，预计将很快可正式量产产品 |
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SiGe HBT技术发展概述 (2001.06.01)
SiGe技术经过这十几年的研究发展，已渐渐开花结果。 |
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台积电赴欧取得BiCMOS制程技转 (2000.09.11)
台积电赴欧取得BiCMOS制程技转 |
