SiGe:C npn电晶体异质接面双极性晶体管（HBT）是BiCMOS IC 中针对高速类比和混合讯号应用的核心技术，它具有以下特性︰基极中少数固有电子高度的机动性、SiGe:C能使偏移所提供的附加性能增强，以及利用硼轻松取得清晰的p型外形。

另一方面，高速互补（npn与pnp电晶体）技术（CBiCMOS）要求pnp与npn HBT具有相似的性能。先对SiGe pnp基极外形中所做的平衡措施进行识别[1]，以免造成少数载波的传输性能下降。但由于常见掺杂质（如磷和砷）在较大程度上分离的状况，n型SiGe基极掺杂工程技术目前仍是一项挑战。

针对此挑战，因此提出了使用标准和原子层掺杂（ALD）技术的掺杂工程技术概论，并显示了与硼对等的掺杂外形可透过使用ALD的砷和磷来取得。
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