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跃入90奈米技术 Intel/台积电硅锗市场竞赛 (2002.09.13)
英特尔 （Intel）近日在开发者论坛（IDF）中表示，未来将把90奈米制程技术，纳入硅锗（SiGe）制程中，但是何种硅锗制程，英特尔并未详述。台积电曾于美国表示，将提供0.18微米制程的硅锗代工服务 |
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TI导入0.4微米CMOS制程 (2002.07.30)
TI（德州仪器）今年底计划发表0.4微米硅锗双载子CMOS之BiCom-III制程，该技术用于生产低噪声芯片，其产品速度比BiCMOS制程技术快上二倍。TI今年第三季进入最终验证阶段，年底将把该技术导入8吋晶圆制程，预计将很快可正式量产产品 |
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台积电获科胜讯授权0.35微米SiGe制程专利 (2001.05.19)
台积电已向美国科胜讯（Conexant）移转0.35微米硅锗（SiGe）制程专利，在CMOS制程进行组件开发，预估今年年底投片试产。一般0.1一微米的逻辑制程技术，目前已开发出单元组件，预估明年第三季可开发完成 |
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科胜讯生产矽锗半导体SiGe通讯元件 (2000.02.10)
科胜讯系统公司(Conexant Systems, Inc.)宣布该公司已完成进阶硅锗(SiGe)制程的开发工作，使用此种制程技术，将可大幅降低无线通信系统、高速网络系统中半导体产品的电力需求 |
当传输技术进入数字时代之后，用户及厂商对于数字显示的质量要求越来越注重，结合显示适配器硬件的数字显示接口标准，其发展进度因而更受到瞩目。
