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Diodes新型MOSFET晶片高度減少50% (2012.05.11)
Diodes 公司日前推出了一系列採用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道和P通道MOSFET。採用DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4，離板高度只有0.4mm，面積只有4mm2，是一款額定電壓為 -25V的P通道元件，較同類型元件薄50% |
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IR新款DirectFET MOSFET 為DC-DC應用提高效率 (2010.12.21)
國際整流器（IR）近日宣布，推出了IRF6708S2及IRF6728M 30V DirectFET MOSFET晶片組，特別為講求成本的19V輸入同步降壓應用，例如筆記型電腦而設計。
IRF6708S2小罐和IRF6728M中罐元件可減少零件數量達30%，所以能夠大幅降低整體系統成本 |
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ST MDmesh V MOSFET 為終端產品帶來節能優勢 (2009.02.23)
意法半導體（ST）宣佈在功率MOSFET晶片的性能方面取得巨大突破，MDmesh V使得ST新一代的650V MOSFET，採用緊湊型功率封裝，可將RDS（ON）降到0.079Ω以下。這些產品的應用是鎖定以小尺寸和低能耗為訴求的功率轉換系統 |
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IR將於IIC-China展示最新功率管理方案 (2009.02.16)
國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）宣布，IR將參與由2009年2月26日至27日在深圳會展中心舉行的國際集成電路研討會暨展覽會（IIC-China）。
IR的工程師及應用工程師將於編號2E01的展位展示最先進的功率管理方案 |
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IR推出嶄新MOSFET晶片組 (2000.05.23)
國際整流器公司(International Rectifier；IR)推出多款嶄新的MOSFET晶片組，它們經過最佳化處理，可用於1MHz或以上頻率操作的多相位DC-DC轉換器。兩項重點產品包括IRLR8503控制場效電晶體(FET)及IRLR8103同步場效應電晶體，適用於單相位或多相位同步降壓電路 |
