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盛美上海進軍塗膠顯影Track市場 滿足IC製造商光刻制程需求 (2022.12.21)
盛美上海推出塗膠顯影Track設備，標誌著該公司已正式進軍塗膠顯影Track市場，這也是該公司提升其在清洗、塗膠和顯影領域內專業技術的必然結果。盛美上海于2013年開發了首個封裝塗膠機和顯影機，並於2014年交付了給客戶 |
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中芯率先突破製程瓶頸 迫美火速補貼晶片與加碼設限 (2022.08.02)
近來因為中芯率先突破7nm製程、與美國積極促成亞洲晶片大廠「四方聯盟」（Chip4）等話題，讓半導體產業及設備市場再起波瀾。根據TrendForce最新研究預估，以全球各區域12吋約當產能看來 |
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Brewer Science 將在 2019 Semicon Taiwan分享先進封裝經驗與技術產品 (2019.09.16)
Brewer Science今天宣布，該公司將連續第 14 年參加台灣國際半導體展，這是台灣最大的年度微電子盛事，將在 2019 年 9 月 18~20 日於台北世貿中心南港展覽館舉行。除了將在 N0262 攤位展示其產品之外，Brewer Science 還將出席並贊助 2019 年 SiP 全球高峰會，這是與該展連同舉行的先進封裝專題活動 |
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透過自動高階補償改善疊對控制 (2008.05.05)
隨著關鍵尺寸逐年縮小，疊對預算變得越來越緊縮。先進刻蝕機的成本成為在非關鍵層上使用最先進的掃描式曝光機的阻礙，導致在不同的層使用不同的刻蝕機；這種做法通常被稱為「混搭」 |
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IBM與JSR將合作研發新一代半導體製程 (2007.12.11)
IBM與JSR將就新一代半導體製程技術展開研究之合作計畫。據了解，美國的IBM和日本JSR兩廠商已經就半導體新一代材料及製程的研發，共同簽訂了促進研究的合約。依據合作內容，JSR將派遣數名研究人員至IBM位於美國加州的阿爾馬丁研究中心（Almaden Research Center） |
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Intel誓言：45nm之後 摩爾定律不變 (2007.05.30)
Intel誓言在45nm之後，摩爾定律將延續不變。Intel的LSI技術策略研究員暨技術策略總監Paolo A. Gargini表示，即使在45nm以後，也將延續每兩年電晶體數量倍增的晶圓製程技術。繼2007年下半年量產的45nm之後，Intel於2009年將開始32nm製程、2011年將開始22nm製程的量產 |
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65到45：半導體製程微細化技術再突破 (2006.11.27)
當半導體微細化製程從65奈米邁向45奈米、甚至晶片結構體尺寸將朝向32或是22奈米之際，我們將會面臨什麼未知的物理性質變化？為了追尋更微小體積、切割更多晶片的商業成本效益 |
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NEC開發面向45nm工藝的Cu/Low-k佈線技術 (2006.11.26)
NEC與NEC電子開發了45nm工藝的Cu/Low-k佈線技術。該技術適用於由閘長30nm的MOSFET構成的環狀振盪電路，並使用有效比介電常數（k值）為2.9的低介電（low-k）膜、數值孔徑和佈線間距為70nm/140nm的Cu二重大馬士革（Cu Dual Damascene）工藝 |
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TI 45奈米晶片製程讓輸出倍增，降低功耗電 (2006.11.26)
這種利用「濕式」微影製程的先進技術可將每片矽晶圓的晶片切割數目增加一倍，同時提高元件的處理效能並降低耗電。TI利用多種專屬技術將其內含數百萬電晶體的系統單晶片處理器帶到更高的功能水準，不僅效能提升達3成，耗電更大幅減少4成 |
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聯電採用浸潤式微影技術產出45奈米測試晶片 (2006.11.26)
聯華電子（UMC）宣佈成功產出位元較0.25平方微米更小的45奈米SRAM晶片，該晶片採用聯電獨立發展的邏輯製程，在12層重要層中使用複雜的浸潤式微影術，並且結合最新的尖端技術如超淺接點技術、遷移率提升技術以及超低介電值技術（k=2.5） |
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半導體微影製程發展走向 (2006.11.26)
從波長、數值孔徑、解析度增強技術以及製程控制來看，乾式光學微影設備的數值孔徑技術推進到0.9便無法繼續，濕浸式微影可以突破，但仍有幾項關鍵因素待克服，如水中微泡的控制，其間形成的微氣泡可能損及晶圓上的成像，因此如何在事先去除氣體的純水可能預防氣泡生成是關鍵之一 |
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光微影術 （Optical Lithography） (2006.11.25)
所謂的光微影術，簡單的說就是希望將設計好的線路圖形，完整且精確地複製到晶圓上。半導體廠首先需將設計好的圖形製作成光罩（photo mask），應用光學成像的原理，將圖形投影至晶圓上 |
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65nm半導體工藝發展策略 (2006.11.25)
65nm工藝在性能上的提高會導致功耗明顯增加，元件可能會消耗過高的功率。若不採用降低功耗的方法，由於靜態功耗增加，65nm工藝的功耗將成為關鍵問題。漏電流是導致靜態功耗增加的主要原因，漏電流包括65nm工藝上更薄的閘極氧化層隧道電流，以及亞閾值洩漏等 |
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松下和瑞蕯開發系統晶片製程已擴展至45奈米 (2006.08.03)
松下電器(Matsushita)和瑞蕯科技(Renesas)宣布成功整合測試45奈米的系統晶片(SoC)半導體製造技術。此項製程技術是完全整合1氬氟ArF(argon-fluoride)浸沒式掃瞄器2與光隙數值1.0或更高的技術 |
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奈米世代微影技術之原理及應用 (2004.08.04)
微影技術在半導體製程中一直被認為是最重要的步驟，包括一直被廣泛應用在定義圖案的光學微影以及被應用在光罩製作上的電子束微影，而未來進入奈米時代之後，微影技術也面臨許多更新的挑戰，本文將藉由簡介先進微影技術之能力與限制，為讀者剖析目前主流微影術技術之應用與發展趨勢 |
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射頻接收機設計技術概述 (2004.06.01)
無線通訊應用的風行，造就了該類產品在技術上的進展，而設頻收發機就是通訊連結當中相當重要的關鍵零組件，而不同的架構設計也各有其優缺點，本文將針對各試射頻接收機的架構做介紹，並進一步剖析其優缺點 |
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變型照明技術--Off-Axis Illumination(OAI) (2000.02.01)
參考資料： |
