2004年在舊金山舉行的Semicon West會議開幕式中，英特爾（Intel）資深研究員暨國際半導體科技藍圖（ITRS）技術策略主任Paolo Gargini指出，半導體的產業發展將會在未來的15到20年繼續遵循著摩爾定律（Moore's Law）；同時在晶圓尺寸上更會從300 mm增加至450 mm。在此一發展趨勢下，微影技術更顯示出其重要性。微影（lithography）技術的演進與發展為半導體工業面對奈米時代一個極為重要的推手。

微影技術原理與主流趨勢

根據2003年版國際半導體科技藍圖的內容，如(圖一)，半導體製程會在2004年正式進展到100nm以下，而在2010年進展到50nm以下，因此目前的設備廠商仍在思考那些設備會在50nm以下被使用到。光學微影的曝光光源有汞燈、KrF、ArF（曝光波長為193nm）、F2（曝光波長為157nm）及EUV（曝光波長為13.4nm）等光學微影技術，其分別應用在90nm、65nm及50nm以下。然而，F2技術使用的設備單價在8.5億台幣，而EUV技術使用的設備價格更高達17億台幣，因此到底未來在65nm以下如何能夠減少設備太過昂貴的問題以順利進入量產，目前仍有爭論。幸而最近在光學微影設備之技術上有新的創新技術，稱為液體中曝光微影術（Liquid immersion lithography；LIL，或稱浸潤式微影），可以讓ArF微影術延伸到65nm，同樣的也讓F2微影術延伸到32nm，目前全球重量級的研發單位均投入相當多的資源進行研究。
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