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進入High-NA EUV微影時代 (2024.09.19)
比利時微電子研究中心（imec）運算技術及系統／運算系統微縮研究計畫的資深副總裁（SVP）Steven Scheer探討imec與艾司摩爾（ASML）合建的High-NA EUV微影實驗室對半導體業的重要性 |
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imec展示單片式CFET功能元件 成功垂直堆疊金屬接點 (2024.06.21)
於本周舉行的2024年IEEE國際超大型積體電路技術研討會（VLSI Symposium）上，比利時微電子研究中心（imec）首次展示了具備電性功能的CMOS互補式場效電晶體（CFET）元件，該元件包含採用垂直堆疊技術形成的底層與頂層源極／汲極金屬接點（contact） |
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意法半導體突破20奈米技術屏障 提升新一代微控制器成本競爭力 (2024.03.28)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）推出了一項18奈米完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體（Fully Depleted Silicon On Insulator，FD-SOI）技術並整合嵌入式相變記憶體（ePCM）的先進製程，支援下一代嵌入式處理器進化升級 |
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ST與格羅方德在法國建12吋晶圓廠 推動FD-SOI生態系統 (2022.07.14)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）和格羅方德（GlobalFoundries）宣布，雙方簽署了一份合作備忘錄，在意法半導體現有的法國Crolles晶圓廠附近，建立一個新的12吋晶圓聯營廠 |
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TrendForce : 2018 年DRAM產業供給成長低點，延續供給吃緊走勢 (2017.09.19)
隨著時序已近2017年第四季，三大DRAM廠已陸續在下半年召開針對明年產能規劃的年度戰略會議，根據TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)的調查，2018年各DRAM廠的資本支出計畫皆傾向保守 |
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新一波量產啟動 三星恐失記憶體霸主地位 (2017.07.27)
記憶體的貨源短缺，正直接帶動整體半導體市場的榮景。而記憶體廠商抬高DRAM和NAND的價格，也使其營收和獲利隨之成長。身為全球記憶體大廠的三星電子(Samsung Electronics)一手主導記憶體的市場價格，正是漲價背後的真正推手 |
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TrendForce：LPDDR4X成為2017年行動式記憶體供貨主流 (2017.05.08)
TrendForce記憶體儲存研究（DRAMeXchange）最新研究顯示，為優化智慧型手機的作業系統流暢度，廠商不斷升級行動式記憶體版本。在三星、SK海力士及美光集團三大原廠的奈米製程轉進及智慧型手機主流AP（應用處理器）的搭載需求下 |
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TrendForce：第二季伺服器用記憶體供給仍有缺口，估價格漲幅逾10% (2017.04.18)
Trendforce記憶體儲存研究（DRAMeXchange）最新研究顯示，伺服器用記憶體供給持續吃緊，且仍有供給缺口未能完全滿足需求。其中原廠對LTA（Long Term Agreement）伺服器製造商的平均出貨達成率下滑至約八成，顯示供給缺口仍有兩成未能滿足，甚至對其餘中國與台灣ODM廠的出貨達成率下滑至六成左右 |
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供過於求 DRAM產值持續衰退 (2016.02.15)
TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新報告顯示，受到DRAM平均銷售單價持續下降及市況持續供過於求影響，2015年第四季全球DRAM總產值為102.7億美元，季衰退9.1%。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示 |
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這麼快，做什麼？ (2009.06.22)
根據市場研究公司iSuppli於6/16所發表的一份報告指出，受制於晶片生產成本高漲的因素，摩爾定律很可能在2014年就開始失效。
iSuppli表示，晶片製程從20奈米到18奈米之間，摩爾定律依然有效，旦至18奈米之後，摩爾定律可能就要失效了 |
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摩爾定律將在2014年失效？市場看法不一 (2009.06.17)
市場研究公司iSuppli於週二（6/16）發表一份報告指出，受制於晶片生產成本高漲的因素，摩爾定律很可能在2014年就開始失效。
iSuppli表示，晶片製程從20奈米到18奈米之間，摩爾定律依然有效，旦至18奈米之後，摩爾定律可能就要失效了 |
