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革新闪存迈出下一步 (2008.11.05)
市场对于主流非挥发性内存、特别是NAND Flash独立储存应用仍有广大需求动能，短期内市场对NAND Flash及SSD的发展规模渐趋保守，长期发展前景仍旧维持审慎乐观。NAND Flash在奈米微缩可扩充能力（Scalability）、储存覆写次数耐久性（Endurance）和数据保存能力（Data Retention）的局限，使其面临技术上和经济上必须革新的关键 |
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海力士获Grandis授权 将共同开发STT-RAM技术 (2008.04.10)
南韩海力士半导体（Hynix Semiconductor）宣布，该公司已经与新一代内存STT-RAM（Spin-Transfer Torque RAM）的技术开发商Grandis，签订了STT-RAM的技术授权及共同开发协议。根据协议内容，海力士将从Grandis获得STT-RAM技术授权，未来两公司的研究人员也将在产品开发领域进行合作 |
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非挥发性内存的竞合市场 (2007.10.24)
内存本身就具有通用与中介的性质，所以发展出来的各类内存组件，多能通用于不同系统之间。新一代的内存为了更通用之故，所发展的都是非挥发性的内存，这样才能既做为系统随机存取之用，又能组成各类的储存装置，例如嵌入在便携设备中的储存容量、弹性应用的记忆卡或固态硬盘等 |
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检视STT-RAM记忆体应用优势 (2007.10.19)
旋转力矩转移随机存取记忆体（STT-RAM）是一种透过自旋电流移转效应所开发而出的新记忆体技术，属于非挥发性记忆体的一种，其应用优势包括无限次数的读写周期、低耗电，以及运算速度更快等，更适合嵌入式设计应用 |
