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联电获MoSys授权1T-SRAM技术 (2002.11.20)
联电与MoSys近日宣布，联电取得MoSys之1T-SRAM技术的授权，以加强联电现有的IP服务，提供更适合联电制程的记忆体给SoC设计工程师使用。联电并将此高密度（ultra-high density）1T-SRAM记忆体技术客制化，进而提供更多重的选择
威盛宣布取得茂硅1T-SRAM专利授权 (2001.01.10)
威盛电子10日宣布正式取得茂硅电子1T-SRAM的专利授权，为新世代的系统单芯片产品，导入超高集积度、高效能及低耗电的先进SRAM技术，并可望广泛应用于日渐蓬勃的因特网装置、信息家电产品线


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