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Diodes新型MOSFET芯片高度减少50% (2012.05.11)
Diodes 公司日前推出了一系列采用薄型DFN2020-6封装的高效率N信道和P信道MOSFET。采用DFN2020H4封装的DMP2039UFDE4，离板高度只有0.4mm，面积只有4mm2，是一款额定电压为 -25V的P信道组件，较同类型组件薄50% |
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IR新款DirectFET MOSFET 为DC-DC应用提高效率 (2010.12.21)
国际整流器（IR）近日宣布，推出了IRF6708S2及IRF6728M 30V DirectFET MOSFET芯片组，特别为讲求成本的19V输入同步降压应用，例如笔记本电脑而设计。
IRF6708S2小罐和IRF6728M中罐组件可减少零件数量达30%，所以能够大幅降低整体系统成本 |
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ST MDmesh V MOSFET 为终端产品带来节能优势 (2009.02.23)
意法半导体（ST）宣布在功率MOSFET芯片的性能方面取得巨大突破，MDmesh V使得ST新一代的650V MOSFET，采用紧凑型功率封装，可将RDS（ON）降到0.079Ω以下。这些产品的应用是锁定以小尺寸和低能耗为诉求的功率转换系统 |
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IR将于IIC-China展示最新功率管理方案 (2009.02.16)
国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）宣布，IR将参与由2009年2月26日至27日在深圳会展中心举行的国际集成电路研讨会暨展览会（IIC-China）。
IR的工程师及应用工程师将于编号2E01的展位展示最先进的功率管理方案 |
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IR推出崭新MOSFET芯片组 (2000.05.23)
国际整流器公司(International Rectifier；IR)推出多款崭新的MOSFET芯片组，它们经过优化处理，可用于1MHz或以上频率操作的多相位DC-DC转换器。两项重点产品包括IRLR8503控制场效晶体管(FET)及IRLR8103同步场效应晶体管，适用于单相位或多相位同步降压电路 |
